论文部分内容阅读
2008年12月3日,副省长高峰到云南林业职业技术学院调研,省林业厅厅长陈玉侯、副厅长郭辉军陪同。高峰视察了生物多样性保护与利用野生植物引种繁育实训中心、家具制造专业学生作品展室和正在绿化美化的新校园。高峰在听取取学
高峰到云南林业职业技术学院调研
【摘 要】
：
2008年12月3日,副省长高峰到云南林业职业技术学院调研,省林业厅厅长陈玉侯、副厅长郭辉军陪同。高峰视察了生物多样性保护与利用野生植物引种繁育实训中心、家具制造专业学
【出 处】
：
云南林业
【发表日期】
：
2009年1期
其他文献
本文使用快速热处理超计ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层。俄歇电子能谱被用业检测ＳｉＧｅ合金层的厚度。实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中Ｇｅ原子的结合率增加到最大值，然后减小；ＳｉＧｅ合金的生
本文提出一种提高半导体电阻式气敏元件选择性的新方法。这种方法的基本出发点是互补反馈原理。这种新型气敏元件的结构与原有的不同,由两种不同特性的敏感体组合而成,其组合
ＲＢＳ，ＡＥＳ，ＸＰＳ分析结果证实：在有微量氧存在的氮气中，Ｔｉ／ＳｉＯ２（薄）Ｓｉ体系不同温度下退火过程均无ＴｉＮ生成；随退火温度升高，该体系形成的ＴｉＳｉ２层；Ｔｉ氧化物层不断变薄，并伴有ＳｉＯ２在表面层重新出现。通过△Ｇ的计算，热力学证明反应
临床病理诊断为鼻内翻性乳头状瘤患者6例,均为男性,年龄48～65岁,5例为首诊,1例已行鼻侧切开径路行乳头状瘤切除术,术后放疗,2年后复发.6例患者均在激光手术前作鼻腔、鼻窦CT检
采用离子束溅射技术在Si片上先后连续淀积Ti膜和Co膜,对Co/Ti/Si三元体系固相反应特性进行了研究。在氮气氛下对Co/Ti/Si样品进行热处理,结果表明,样品薄层电阻及薄膜结构随
本文利用注入剂量法,对离子注入掺Zn的GaAs样品进行了SIMS定量分析,得到了Zn在GaAs中的浓度分布,并由此获得了稳定的相对灵敏度因子,利用相对灵敏度因子法对GaAs 中的掺杂元
在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌｌ测试得到的背景电子浓度增大。本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释。
薄SiO_2的早期高场弛豫电导与原生电子陷阱的俘获及新生正电荷的产生密切相关;中、后期的电导弛豫与新生电子陷阱的产生-俘获过程相关,新生电子陷阱遵从单分子产生规律.一个
资料和方法１９９４～１９９６年神经衰弱患者１６４例，均经神经内科确诊，男９１例，女７３例；年龄２１～６３岁，平均４２．３岁；病程１～２５年，平均８．２年；睡眠障碍８７例，紧张性头痛４３例，脑力疲劳和记忆力减退３４例。随机分为高压低频电流组８２例，包括...