SIH4相关论文
在MP2/aug-cc-pvtz水平上对SiH4…Y(Y=He,Ne,Ar,Kr)复合物势能面上的4个构型进行优化,探讨了SiH4…Y(Y=Ar,Kr)复合物体系中的蓝移......
前言 半导体电子厂房等洁净空调场所，工艺上会用到各种气体如氢气（可燃、用于光刻）、砷化氢AsH3（有毒、用于沉积植入）、矽烷SiH4（有毒......
对Sill4与HX形成的二氢键复合物的结构特征及本质进行了探讨．在MP2／6—311＋＋G（3d，3p）水平优化、频率验证得到复合物的分子结构，通过分子间......
本工作利用光学发射光谱技术对ＴＥＡＣＯ２激光诱导ＳｉＨ４等离子体反应碎片的时间特性进行了测量，分析了碎片的产生和反应机制。提出碎片Ｓｉ，Ｓｉ＾＋等主要为一级......
在半导体制造过程中，需要使用大量有毒性气体，如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有......
在半导体制造过程中，需要使用大量有毒性气体，如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有......
（3）非晶硅氧（a－SiO：H）合金[34,35］以H稀释硅烷添加CO2作混合气源，控制衬底温度、沉积气压及C02浓度比C02／（C02＋SiH4）（其中硅烷用氢稀释浓度比SiH......
通常硅烷与氧很难共存,人们也决不会贸然在硅烷气体中作掺氧试验.一次偶然的机会,我们做配制SiH4与N2二元混合气的实验,事后发现所......
多晶硅（Poly-Si）薄膜以其优异的光电性能与较低的制备成本在能源信息产业中,日益成为一种非常重要的电子材料,在大规模集成电路和半......
本文利用低压高温MOCVD系统,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜,并对其反应机理做了一些初步的研究.大部分观点认......
制备多晶硅时，用液氨法在低温下产生的硅烷，除主成份SiH4外，尚含H2、微量NH3、Si2H6、CH4、H2O、O2、N2、PH3，以及痕量的B2H8和AsH3等......
单硅烷（SiH4）作为一种提供硅组分的气体源，可用于制造多种高纯度晶体硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅及金属硅化物，因其高纯度和能够实现精......
