自对准工艺相关论文
集成电路飞速发展,硅基CMOS技术关键尺寸已经越来越小,被行业奉为金科玉律的“摩尔定律”面临失效的境况。身处“后摩尔时代”,芯......
微波单片集成电路Microwave Monolithic Integrated Circuit 简称MMIC，是随着半导体技术的发展，特别是离子注入水平的提高和双极晶体......
形成硅化物的技术有多种:蒸发、溅射和化学气相淀积。文中对单靶溅射钛膜进行了研究。采用两步快速热退火工艺形成TiSi2,通过实验,......
对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE......
介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计.该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50 ns的输入输出延迟时间.该......
针对谐振隧穿二极管（RTD）在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿......
从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,实验了传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,......
在发射极宽度为3μm和4μm InGaP／GaAs HBT工艺的基础上，研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺，用简单方法制备出了......
本文较为详细地讨论了GaAs异质结材料BOA型光开关的特性；并应用转移矩阵理论和有效折射率法计算和分析了电极结构与器件半波电压和......
基于非选择性外延，自对准注入技术，集电区选择性注入和快速热退火工艺，提出了一种适用于1．5μmBiCMOS集成技术的SiGeHBT器件结构。该结......
碳化硅（SiC）优良的材料特性,使其十分适用于制作大功率高速的开关器件,例如金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）。目前国内诸多研......
阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SO......
作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表......
