【摘 要】
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研究了高剂量(7.5×10~(15))氩离子注入硅片背面的吸杂效应;吸杂效果由npn晶体管的漏电流,Iceo的降低得到证实;分别用SIMS及DLTS法测量吸杂前后杂质分布的变化。结果表明,Fe
【机 构】
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天津大学电子工程系,天津大学电子工程系,天津大学电子工程系
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研究了高剂量(7.5×10~(15))氩离子注入硅片背面的吸杂效应;吸杂效果由npn晶体管的漏电流,Iceo的降低得到证实;分别用SIMS及DLTS法测量吸杂前后杂质分布的变化。结果表明,Fe、Cr及Au等重金属杂质经吸杂处理后有效地从硅片正面的有源区转移到背面的损伤区,揭示了吸杂的实际过程。
The effects of high dose (7.5 × 10 ~ (15)) Ar ion implantation on the backside of silicon wafers were investigated. The gettering effect was confirmed by the leakage current of npn transistor and the decrease of Iceo. The SIMS and DLTS Changes in impurity distribution. The results show that the heavy metal impurities such as Fe, Cr and Au effectively transferred from the active area to the damaged area on the back of the silicon wafer after gettering treatment, revealing the actual process of gettering.
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