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在室温下测量了GaInP／AIGaInP垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光致发光谱和反射谱．通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长．但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关的光致发光信号．用边激发配置可以测到量子阱的光致发光谱，但这样测得的光谱已经受到激光器中的分布布拉格反射镜(DBR)的调制．采用腐蚀去上DBR层的方法可以在背散射配置下测得量子阱的光致发光谱，但仍无法避免下DBR层对发光谱的调制作用．从而只有采用边激发一边发射模式才能测得VCSEL中量子阱的真实的光致发光谱．