【摘 要】
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我们使用了真空蒸发和电沉积二种方法制备成Sn同位素无衬底靶,靶膜的厚度范围自250μg/cm~2至2mg/cm~2。
We have prepared Sn-containing target without target by vacuu
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我们使用了真空蒸发和电沉积二种方法制备成Sn同位素无衬底靶,靶膜的厚度范围自250μg/cm~2至2mg/cm~2。
We have prepared Sn-containing target without target by vacuum evaporation and electrodeposition. The thickness of the target film ranges from 250μg / cm 2 to 2mg / cm 2.
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