【摘 要】
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本文报道了一种采用掺 Cr的 GaAs高阻材料,交叉指状图形,Ni/Ge/Au金属化,浅腐蚀坑改善光电耦合效率的快速、灵敏光电导开关.在染料激光脉冲激励下,获得短于200ps的瞬态响应.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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本文报道了一种采用掺 Cr的 GaAs高阻材料,交叉指状图形,Ni/Ge/Au金属化,浅腐蚀坑改善光电耦合效率的快速、灵敏光电导开关.在染料激光脉冲激励下,获得短于200ps的瞬态响应.根据分析,这种光电导开关的瞬态响应应远小于200 ps,适用于信号处理.
In this paper, a fast and sensitive photoconductive photoconductive switch with GaAs high resistance material doped with Cr, interdigitated pattern, Ni / Ge / Au metallization and shallow etching pits is reported. Under the excitation of dye laser pulse, Transient response of less than 200ps. According to the analysis, this photoconductive switch transient response should be much less than 200 ps, suitable for signal processing.
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