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根据经典的统计理论，并结合麦克斯韦速率分布律得出吸附过程中O2吸附量的理论模型，从而获得氧吸附面密度与温度、氧分压的理论变化规律。在活化能Ea=0．30eV的情况下，TiO2对氧气吸附的温度敏感区域在120～410K之间，最佳吸附温度为370K，这与由金红石相TiO2所制成氧敏元件的最佳灵敏度所处的工作温度（378K）相近。并由模拟理论推测O2在半导体表面的吸附面密度与氧分压呈线性增加。