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在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了光致发光带的峰位对单晶硅电阻率,电解液成分,电解电流密度及电解时间等量的依赖关系.
氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光
【摘 要】
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在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了光致发光带的峰位对单晶硅电阻率,电解液成分
【机 构】
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北京大学物理系,北京大学物理系北京100871,北京100871,北京100871
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年3期
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