【摘 要】
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对一种自刷新检纠错电路(EDAC)进行了研究与设计,并应用于单字节写操作SRAM中,提高了SRAM抗单粒子翻转效应(SEU)性能。EDAC采用hamming(12,8)编译码,实现“纠一检一”功能,数
【机 构】
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华中师范大学夸克与轻子物理教育部重点实验室物理科学与技术学院,上海微技术研发中心有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金面上项目(11375073);国家自然科学基金重点项目(11220101005);国家重点研发计划科技部“高能环形正负电子对撞机相关的物理和关键技术预研究”(2016YFA0400400)
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对一种自刷新检纠错电路(EDAC)进行了研究与设计,并应用于单字节写操作SRAM中,提高了SRAM抗单粒子翻转效应(SEU)性能。EDAC采用hamming(12,8)编译码,实现“纠一检一”功能,数据宽度为32bit的SRAM的EDAC由4组hamming(12,8)编译码电路组成,实现单字节操作,同时最多可纠4bit错误。外围逻辑电路将EDAC电路纠错后的正确数据回写到SRAM对应的地址中,实现刷新功能,减少了SRAM的错误累积。同时,利用了Synopsys公司的EDA数字综合工具de.signcom
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