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Au／Ni／Al／Ti／AlxGa1-xN／GaN禾口Au／Pt／Al／Ti／AlxGa1-xN／GaN欧姆接触研究

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户：JJ415722591

【摘要】

：

研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt／Au多层金属膜与未掺杂的Al0．22Ga0.7gN/GaN(i-AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在退火温度低于700℃时，两种接触样品上都不能得到欧

【作者】

：

周慧梅沈波陈敦军陈堂胜焦刚郑有（火斗）

【机构】

：

南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,信息产业部南京电子第五十五所

【出处】

：

稀有金属

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

Ⅲ族氮化物欧姆接触异质结构势垒 N materials ohmic contact heterostructure barried

【基金项目】

：

国家杰出青年科学基金 ( 60 3 2 5 413 ) ,,国家“973”计划 (G2 0 0 0 0 683 ) ,,国家自然科学基金 ( 60 13 60 2 0 ) ,国家“863”计划( 2 0 0 2AA3 0 5 3 0 4),,教育部博士点基金 ( 2 0 0 2 2 0 2 840 2 3 )资助项目

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研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt／Au多层金属膜与未掺杂的Al0．22Ga0.7gN/GaN(i-AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在退火温度低于700℃时，两种接触样品上都不能得到欧姆接触。随着退火温度的升高，850℃快速退火后，在Ti／AI／Ni／Au接触上获得了1．26×10^-6Ω·cm^2的比接触电阻率，在Ti/Al／Pt/Au接触上获得了1．97×10^-5Ω·cm^2的比接触电阻率。研究结果表明，金属与半导体接触界面和

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