【摘 要】
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为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室,常州大学江苏省光伏科学与工程协同创新中心
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.61176062）, 江苏省前瞻性联合创新项目（No.BY2013003-08）, 江苏高校优势学科建设工程资助项目, 中央高校基本科研业务费（No.3082015NJ20150024）资助
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为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明：自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒,该CdS纳米颗粒衍射峰为（210）;CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移,且从570nm转移到740nm;电泳时
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