P-MBE制备氮掺杂p型ZnO中空穴的散射机制

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：peixiaohe

【摘要】

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利用等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的p型ZnO薄膜.通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随温度的变化特性.对载流子浓度拟合的结果表明

【作者】

：

孙建武吕有明刘益春申德振张振中李炳辉张吉英姚斌

【机构】

：

中国科学院

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

氧化锌 p型掺杂散射机制 P-MBE

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金

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利用等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术,在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的p型ZnO薄膜.通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随温度的变化特性.对载流子浓度拟合的结果表明氮受主具有75 meV的能级深度.通过对各种散射机制下迁移率的讨论,发现由晶粒及其晶界组成的这种结构极大地降低了p型ZnO中载流子的迁移率.

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