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[学位论文] 作者：常虎东,
来源：中国科学院大学 年份：2013
高迁移率InGaAs沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)因其高驱动电流和低静态功耗等特性，在数字电路和射频电路应用方面具有巨大优势。本论文在对Ⅲ-Ⅴ族半导体表面化学...
[会议论文] 作者：常虎东;孙兵;卢力;刘洪刚;,
来源：第5届海内外中华青年材料科学技术研讨会暨第13届全国青年材料科学技术研讨会 年份：2011
本文提出了一种新型InP 界面控制层技术来降低高K 介质/InGaAs MOS 结构的界面态密度。通过 系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP 界面...
[期刊论文] 作者：夏庆贞,李东泽,常虎东,孙兵,刘洪刚,
来源：湖南大学学报:自然科学版 年份：2020
SOI CMOS工艺具有高的截止频率和良好的温度稳定性,能够满足微波毫米波雷达收发芯片在多种应用场景下的使用要求.采用90 nm SOI CMOS工艺,设计一种A类无输出阻抗匹配网络Stac...
[期刊论文] 作者：周磊,金智,苏永波,王显泰,常虎东,徐安怀,齐鸣,,
来源：半导体学报 年份：2010
An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor(SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_(max)) and high cutoff frequency(f_t) is reported.Effort...
Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barri
[期刊论文] 作者：王盛凯, 马磊, 常虎东, 孙兵, 苏玉玉, 钟乐, 李海鸥,,
来源：null 年份：2017
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[期刊论文] 作者：常虎东,孙兵,卢力,赵威,王盛凯,王文新,刘洪刚,,
来源：物理学报 年份：2012
从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOSHEMT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件开展研究工作.研宄发现InAlAs势垒层...
Fabrication of a novel RF switch device with high performance using In_(0.4)Ga_(0.6)As MOSFET techno
[期刊论文] 作者：周佳辉, 常虎东, 张旭芳, 杨靖治, 刘桂明, 李海鸥, 刘洪,
来源：null 年份：2016
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Effect of the Si-doped In_(0.49)Ga_(0.51)P barrier layer on the device performance of In_(0.4)Ga_(0.
[期刊论文] 作者：常虎东,孙兵,薛百清,刘桂明,赵威,王盛凯,刘洪刚,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
In0.4Ga0.6As channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with and without an Si-doped In0.49Ga0.51P barrier layer grown on semi-insulat...
Fabrication of a novel RF switch device with high performance using In_(0.4)Ga_(0.6)As MOSFET techno
[期刊论文] 作者：周佳辉,常虎东,张旭芳,杨靖治,刘桂明,李海鸥,刘洪刚,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
A novel radio frequency(RF) switch device has been successfully fabricated using InGaAs metaloxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) technology.The...
[期刊论文] 作者：周佳辉,常虎东,张旭芳,徐文俊,李琦,李思敏,何志毅,刘洪刚,李,
来源：真空科学与技术学报 年份：2015
...
[期刊论文] 作者：周佳辉,常虎东,张旭芳,徐文俊,李琦,李思敏,何志毅,刘洪刚,李海鸥,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2015
采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功...
[期刊论文] 作者：周佳辉,常虎东,刘洪刚,刘桂明,徐文俊,李琦,李思敏,何志毅,李海鸥,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2004
The impact of various thicknesses of Al_2O_3 metal-insulator-metal(MIM) capacitors on direct current and radio frequency(RF) characteristics is investigated.For...
Positive Bias Temperature Instability Degradation of Buried InGaAs Channel nMOSFETs with InGaP Barri
[期刊论文] 作者：王盛凯,马磊,常虎东,孙兵,苏玉玉,钟乐,李海鸥,金智,刘新宇,刘洪刚,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
Positive bias temperature instability stress induced interface trap density in a buried InGaAs channel metaloxide-semiconductor field-effect transistor with a I...
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