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[期刊论文] 作者：P.Defranould,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：1985
本文是一篇论述当前体声波延迟线技术水平的述评.该器件的特征是高达100μs的长延迟、小型化和采用能在1—10GHz微波频段工作的压电薄膜换能器.基本设计考虑包括本器件能实现...
[期刊论文] 作者：T.Mitsuyu,O.Yamazaki,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：2004
在兰宝石(Al_2O_3)基片上采用ZnO单晶膜已研制成4.4千兆赫SAW滤波器.ZnO膜是用R.F.磁控溅射技术生长的.发现ZnO/Al_2O_3结构的SAW特性与理论值很一致.滤波器系由0.5微米宽的...
[期刊论文] 作者：B.L.Heffner,B.T.Khuri-Yakub,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：1988
本文介绍在直径为80μm的熔石英单模光纤的一侧直接溅射沉积取向ZnO薄膜的工艺。一个由这种薄膜复合而成的4GHz压电换能器验证了薄膜的取向性。频率扫描的换能器输入阻抗矢量...
[期刊论文] 作者：陈运祥,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：1992
本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技...
[期刊论文] 作者：杨龙其,王宗富,
来源：压电与声光 年份：1988
本文介绍大功率微波换能器用ZnO薄膜的制备及性能。采用这种薄膜的换能器用于Au/Cr/ZnO/Au/Cr/c-A1_2O_3结构的延迟线,在f_0=3GHz时,实测输入平均功率可达1W,脉冲功率可达10W...
[期刊论文] 作者：王宗富,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：1987
本报告介绍了采用Au/Cr/ZnO/Au/Cr/Z-Al_2O_q一维纵向薄膜换能器结构,研制成大功率反射式体声波单端口网络的微波延迟线.在中心频率f_0=2780MHz,带宽△f=200MHz,延时t_1≥8μ...
[期刊论文] 作者：陈运祥,杨龙其,王宗富,
来源：压电与声光 年份：1992
本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技...
[期刊论文] 作者：周子新,杨龙其,杨宏伟,何世平,
来源：压电与声光 年份：1989
声表面波(SAW)卷积器/相关器是扩频通信讯系统的关键部件。它可用作改善扩频通信系统信噪比的匹配滤波器元件。SAW卷积器/相关器还可用来消除雷达系统中的固有畸变和缩短处理...
[期刊论文] 作者：肖韵雪, 郭伟远, 杨龙其, 林廷芬,,
来源：压电与声光 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：曹广军,刘光廷,周子新,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：1993
对退火前后氧化锌薄膜的结构特性、化学组分及化学价态，以及缺陷特性进行了详尽的研究，结果表明，低温热退火是改善氧化锌薄膜结构特性、化学组分及化学价态，并且减少缺陷的良好方......
[期刊论文] 作者：曹广军,刘光廷,周子新,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：1993
分析了ＭＺＯＳ结构及其Ｓｉ－ＳｉＯ２子系统的Ｃ－Ｖ特性，发现ＺｎＯ中的氧空位和溅射工艺过程在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面引入的界面电荷是影响ＭＺＯＳ结构界面特性的主要因素。研究还表明，低温热退火可以改善ＭＺＯＳ结构的界面特性。......
[期刊论文] 作者：陈运祥,杨龙其,周勇,王宗富,何大珍,
来源：压电与声光 年份：1991
本文报道了新型Ta_2O_5压电膜的制备方法及其工艺技术。用×轴垂直取向性Ta_2O_5压电膜制作出了声表面波(SAW)延迟线及滤波器。并给出了相应的实验结果。This paper report...
[期刊论文] 作者：周子新,杨龙其,杨宏伟,谢兵,何世平,曹光军,
来源：压电与声光 年份：1989
本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设...
[期刊论文] 作者：周子新,杨龙其,杨宏伟,谢兵,何世平,曹光军,
来源：压电与声光 年份：1989
本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设...
[期刊论文] 作者：何世平,吴伯修,刘光廷,周子新,杨龙其,母开明,
来源：电子学报 年份：1990
本文报道中心频率为80MHz,带宽为7MHz,卷积效率达-57dBm的MZOS存储相关器;并分析、测量了该器件的结构和界面态密度,就界面态密度对存贮效应的影响作出讨论。文中还给出提高器件性能的几个方法。......
[期刊论文] 作者：何世平,朱俊樵,严晓兰,李吉孚,周子新,杨龙其,
来源：压电与声光 年份：1989
与其它SAW器件相比,SAW存贮相关器/卷积器具有独特的性能——SAW存贮效应,因而在信号处理领域的应用潜力巨大。本文详细介绍了一种新的SAW存贮相关器/卷积器的写入、读出及擦...
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