【摘 要】
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在兰宝石(Al_2O_3)基片上采用ZnO单晶膜已研制成4.4千兆赫SAW滤波器.ZnO膜是用R.F.磁控溅射技术生长的.发现ZnO/Al_2O_3结构的SAW特性与理论值很一致.滤波器系由0.5微米宽的
【机 构】
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日·松下电器公司材料研究所,日·松下电器公司材料研究所
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在兰宝石(Al_2O_3)基片上采用ZnO单晶膜已研制成4.4千兆赫SAW滤波器.ZnO膜是用R.F.磁控溅射技术生长的.发现ZnO/Al_2O_3结构的SAW特性与理论值很一致.滤波器系由0.5微米宽的双电极叉指换能器构成.尽管电极宽度较宽,但是由于器件用了具有极高相速的西沙瓦波和通过双电极产生三次谐波,故能在这样高的频率下工作,滤波器的3分贝带宽为50兆赫,在匹配条件下的插入损耗为16分贝.
The ZnO single crystal film on the sapphire (Al 2 O 3) substrate has been developed into a 4.4 GHz SAW filter. The ZnO film is grown by RF magnetron sputtering. The SAW properties of the ZnO / Al 2 O 3 structure are consistent with the theoretical values. The filter consists of a 0.5 micron wide bipolar interdigital transducer.While the width of the electrode is wide, since the device uses the Sisavar wave with very high phase velocity and the third harmonic by the double electrode, High frequency operation, the filter 3 dB bandwidth of 50 MHz, the insertion loss under matching conditions is 16 dB.
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