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[期刊论文] 作者：汪师俊,
来源：微处理机 年份：1985
集成电路的制作工艺主要是薄膜工艺,是以半导体材料为衬底,在其上淀极多层不同的薄膜。用来作隔离介质膜、电容介质膜、掩蔽杂质扩散的阻挡膜、多层布线的绝缘膜、表面保护膜...
[期刊论文] 作者：沈天慧,汪师俊,
来源：半导体杂志 年份：1990
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[期刊论文] 作者：沈天慧,汪师俊,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：沈天慧,汪师俊,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：沈天慧,汪师俊,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：沈天慧,汪师俊,
来源：半导体杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：沈天慧,汪师俊,
来源：半导体杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：汪师俊,蔡琪玉,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性....
[会议论文] 作者：沈天慧,汪师俊,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：汪师俊,黎庆华,
来源：微电子学与计算机 年份：1987
薄膜工艺是集成电路中的关键工艺之一,各种膜的质量直接影响集成电路的功能和成品率。通过薄膜组分、结构、纯度及各项物性的检定以评价薄膜质量的优劣。本文主要介绍几种理...
[期刊论文] 作者：汪师俊,李立明,
来源：微电子学与计算机 年份：1986
我们在SiH_4-NH_3体系PECVD氮化硅工艺研究(使用低浓度硅烷、石墨作电极、淀积2时硅片)的基础上。研制了适于淀积3时硅片的PECVD设备(使用高浓度硅烷、不锈钢作电极、装片量...
[期刊论文] 作者：汪师俊,叶惠珍,马林宝,
来源：微电子学与计算机 年份：1985
我们研究了目前国际上普遍采用的SiH_2Cl_2NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜工艺.通过实验,获得了低压化学气相淀积氮化硅薄膜的较佳工艺条件,并对氮化硅的质量进行了检测...
[期刊论文] 作者：汪师俊,夏酉庭,马林宝,
来源：微电子学与计算机 年份：1984
本文设计了扩散炉型等离子增强化学气相淀积(简称PECVD)系统.通过实验,确定了SiH_4—NH_3体系PECVD氮化硅薄膜的较佳工艺条件,并对膜的性质作了测定,可在低温(...
[期刊论文] 作者：张曼徵,郭慎独,汪师俊,
来源：化工学报 年份：1959
作者等过去的工作已经证实,由于扩散过程的影响、温度范围的不同、或化学组成的差异,二氧化硫在钒催化剂上的氧化动力学方程式可能具有不同的形式。反应物及生成物与催化剂之...
[期刊论文] 作者：汪师俊,蔡琪玉,沈天慧,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。...
[期刊论文] 作者：汪师俊,蔡琪玉,沈天慧,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。...
[期刊论文] 作者：汪师俊,何莲萍,李积和,
来源：微电子学与计算机 年份：1995
本文研究了ＳｉＨ４－Ｏ２体系ＬＰＣＶＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性＜±５％的结果。......
[期刊论文] 作者：叶惠珍,孙纪云,汪师俊,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
我们研究了SiH_4-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜。由于高浓硅烷易燃易爆,从安全出发,我们不用文献介绍的20%和100%的硅烷,而采用浓度为2.5%的硅烷。通过实验,找到了低...
[期刊论文] 作者：汪师俊,蔡琪玉,沈天慧,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.Photochemical vapor deposition (CVD) of silicon nitride film on the device surfac...
[期刊论文] 作者：汪师俊,蔡琪玉,沈天慧,,
来源：微电子学与计算机 年份：1993
文章介绍制备光化学气相淀积氮化硅薄膜的原理、设备及实验结果。The paper introduces the principle, equipment and experimental results of preparing photochemical...
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