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[学位论文] 作者：田达晰,,
来源： 年份：2010
单晶硅是微电子工业的基础材料,广泛用于集成电路和功率半导体器件的制造,成为当今信息社会的基石。在可预见的将来,它仍将在信息社会中发挥极其重要的作用。随着集成电路特...
[期刊论文] 作者：曾泽斌,田达晰,
来源：重型汽车 年份：1999
摩擦材料的质量直接影响着车辆和动力机械的速度，负荷以及安全性。文章概述了摩擦材料的发展历史，介绍了国内外摩擦材料的研究现状，指出无石棉摩擦材料是摩擦材料的发展方向，并简......
[期刊论文] 作者：田达晰,杨德仁,
来源：材料科学与工程 年份：2000
本文从气氛、热场、坩锅材料、埚位、埚转、晶转、变参数拉晶等几个方面的论述了ＣＺ硅单晶初始氧浓度和氧的轴向均匀性的控制方法，着重研究了变参数拉晶对氧的轴向均匀性控制的影......
[期刊论文] 作者：田达晰,蒋科坚,
来源：半导体技术 年份：2003
自动直径控制(ADC)是直拉法单晶制造中的重要环节.本文详细介绍了直拉单晶的直径检测技术,分析其性能差异,对目前单晶炉设备的设计制造有参考作用....
[期刊论文] 作者：田达晰,杨德仁,徐明生,阙端麟,
来源：材料科学与工程 年份：2000
本文从气氛、热场、坩锅材料、埚位、埚转、晶转、变参数拉晶等几个方面论述了 CZ硅单晶初始氧浓度和氧的轴向均匀性的控制方法 ,着重研究了变参数拉晶对氧的轴向均匀性控制...
[会议论文] 作者：田达晰,杨德仁,沈益军,张锦心,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
硅单晶中氧的浓度取决于其在溶体和晶体中的分凝。该文利用Ｆｏｕｒｉｅｒ变换红外光谱仪研究了硅熔体中氧的分凝，实验指出氧的平衡分凝系数Ｋ〈，０〉小于１，为０．２６，而不是通常认为的大于１。......
[会议论文] 作者：曾俞衡, 马向阳, 杨德仁, 宫龙飞, 田达晰,,
来源： 年份：2009
我们最近的研究发现重掺磷直拉硅单晶与轻掺磷直拉硅单晶相比有更高密度的原生氧沉淀。本文通过模拟直拉硅晶体生长的冷却过程,对比研究了重掺磷和轻掺磷直拉硅单晶的...
[期刊论文] 作者：李慎重, 梁兴勃, 田达晰, 马向阳, 杨德仁,
来源：中国表面工程 年份：2020
在外延片的生产中，有时会遇到外延硅片在洁净室中暴露一段时间后产生雾状宏观缺陷（即所谓的时间雾）的不利情形。然而，关于外延硅片表面时间雾的成因目前尚不清楚。通过探究常压化学气相外延工艺生长的外延硅片表面时间雾的形成条件，发现外延硅片取出之前生长腔和传递......
[期刊论文] 作者：田达晰,马向阳,曾俞衡,杨德仁,阙端麟,,
来源：半导体学报 年份：2008
采取从某一温度（600-1000℃）开始缓慢升温至高温（1150℃）并保温若干时间的方法，使得直拉si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大，然后通过傅里叶红外......
[期刊论文] 作者：赵泽钢,田达晰,赵剑,梁兴勃,马向阳,杨德仁,,
来源：物理学报 年份：2015
单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先...
[期刊论文] 作者：江慧华,杨德仁,田达晰,马向阳,李立本,阙端麟,
来源：半导体学报 年份：2005
通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧......
[期刊论文] 作者：奚光平,马向阳,田达晰,曾俞衡,宫龙飞,杨德仁,,
来源：物理学报 年份：2008
通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450—800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重...
[期刊论文] 作者：张越, 赵剑, 董鹏, 田达晰, 梁兴勃, 马向阳, 杨德仁,
来源：物理学报 年份：2015
对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉...
[会议论文] 作者：余学功;杨德仁;马向阳;田达晰;沈益军;李立本;阙端麟;,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文主要研究了大直径硅单晶体中氧沉淀的长大对空洞型原生缺陷(FPD)的影响,在此基础上的讨论了空洞型原生缺陷的消除机理.实验结果表明了硅单晶体内氧沉淀的长大对晶体体内...
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