锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

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【摘要】

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通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧

【作者】

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江慧华杨德仁田达晰马向阳李立本阙端麟

【机构】

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浙江大学硅材料国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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2005年11期

【关键词】

：

重掺硼直拉硅锗氧沉淀 heavily boron-doped Czochralski silicon germanium oxygen precipit

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通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅，这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成，并对相关的机制做了初步探讨．

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