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[学位论文] 作者：谢自力,,
来源：宁夏医科大学 年份：2019
目的对儿童腺样体肥大与胃内容物鼻咽部反流的相关性进行研究,揭示胃内容物反流对腺样体肥大发病的重要性,为腺样体肥大的抗酸治疗提供依据。方法选取67例研究对象,其中34例腺样体肥大的患儿作为实验组,33例非腺样体肥大的患儿作为对照组,所有研究对象均接受RSI......
[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：半导体情报 年份：1997
叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状，分析了该晶体管的结构机理，特点及制造技术，并且阐述了该器的发展前景。...
[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：中国计算机用户 年份：1999
随着电信业务迅猛发展,电信管理发生了一个重要变革:计费收费方式修正日渐频繁,以提高服务质量为宗旨的业务受理新方法、新方案纷纷出台,这就迫使电信计费营收系统必须...
[学位论文] 作者：谢自力,,
来源：河南大学 年份：2017
梁启超对“史界革命”的积极倡导,推动了新史学思潮的广泛开展。迫于救亡图存的压力,中国知识分子把西方的民族主义视为实现国家自强的有力武器。受西方民族国家观念的影响,...
[学位论文] 作者：谢自力,,
来源：武汉大学 年份：2017
钾通道是生物体内种类最多、分布最广的一类离子通道,它在细胞静息膜电位的维持、动作电位的形成、细胞增殖、细胞凋亡等生理和病理活动中都发挥着重要的功能。因此,鉴定新型...
[期刊论文] 作者：谢自力,,
来源：半导体情报 年份：1993
叙述了GaAs MESFET、GaAs HEMT和GaAs耿氏器件等新一代GaAs毫米波器件的发展现状。...
[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：半导体杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：电子工程师 年份：1993
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[期刊论文] 作者：谢自力,,
来源：魅力中国 年份：2009
电子技术是一门理论性和实用性都很强的科学。学习一点基本的电子技术知识是必要的也是必需的。通过自己的学习历程和在教堂工作中总结出来的几点经验，仅供各位初学者参考。...
[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：新食品 年份：2014
白酒行业的深度调整已近两年，在这一轮的行业洗牌期，经济的衰退以及政策的限制，对白酒行业的冲击前所未有。行业的调整，伴随着新品牌的诞生与老品牌的衰退，业内人士纷纷讨论，未来5-......
[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：半导体技术 年份：1994
分析了轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻。用熔融氢氧化钾腐蚀显示位错，用暗点扫描法测薄层电阻。结果表明：单晶中位错密度和薄层电阻分布类似，并且和理论分析液封直......
[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：半导体杂志 年份：1993
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[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：半导体技术 年份：2002
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主...
[期刊论文] 作者：谢自力,
来源：半导体技术 年份：1999
比较了掺Ｉｎ和非掺杂ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中的ＥＬ２缺陷，分析了掺Ｉｎ量的不同与热处理过程的不同对ＬＥＣ－ＧａＡｓ晶体中ＥＬ２缺陷的影响。...
[学位论文] 作者：谢自力,
来源：河南大学 年份：2017
梁启超对“史界革命”的积极倡导，推动了新史学思潮的广泛开展。迫于救亡图存的压力，中国知识分子把西方的民族主义视为实现国家自强的有力武器。受西方民族国家观念的影响，他们......
[期刊论文] 作者：谢自力,,
来源：真空 年份：2000
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[学位论文] 作者：谢自力,,
来源：上海工程技术大学 年份：2004
随着人口老龄化程度加深,养老服务供需矛盾加剧,养老机构面临着更为严峻的供需匹配问题。基于养老机构准入限制进一步放宽的政策背景下,为解决养老机构供需匹配的结构性矛盾...
[期刊论文] 作者：谢自力,邱凯,
来源：电子器件 年份：2000
用分子束外延技术生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料，并用ＨＡＬＬ效应法和电化学Ｃ－Ｖ分布研究其特性。讨论了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ宜质结杨效应晶体管（ＨＦＥＴ）的优越性。和ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ或ＨＥＭＴ相比，由于ＨＦＥＴ没有Ａｌ组份，具有低温特性好，低噪声和高增益等特点。本......
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,
来源：半导体杂志 年份：1997
通过温度压力改变，使整个ＬＥＣ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ损失最小。获得了化学配比较好的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶。单昌表面离和，特别是单晶尾部结构缺陷也少。分析了ＬＥ－ＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶生长过程Ａｓ的挥发和生长环境压力对生长的单昌......
[期刊论文] 作者：谢自力,夏德谦,
来源：半导体技术 年份：1997
研究了影响ＬＥＣ生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布，热对流，坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶锭子长度都有影响。......
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