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[期刊论文] 作者：赵而雪,赵而敬,,
来源：学理论 年份：2009
人类社会的发展是一种自然的历史过程,社会的发展离不开人的作用,社会是由人组成的,人是社会的主体,社会和自然各种因素作用的发挥离不开人的存在和活动。人是生产过程的首要...
[期刊论文] 作者：赵而雪,赵而敬,
来源：黑龙江科技信息 年份：2009
当前,我国的改革发展正处于关键时期,要实现全面建设小康社会的奋斗目标,建设一个生态文明的社会,取得生态文明建设的良好成效,需要牢固树立和认真落实科学发展观,需要我们对...
[期刊论文] 作者：王志娟,赵而敬,张庆,白桦,吕庆,
来源：分析测试学报 年份：2018
基于气相色谱-串联质谱(GC-MS/MS)技术建立了6种防腐剂总量及迁移量的测定方法,通过搭建迁移装置并模拟实际暴露场景,对自制阳性样品中6种防腐剂在模拟唾液和汗液中的迁移规...
[会议论文] 作者：冯泉林;李宗峰;赵而敬;王磊;肖清华;张果虎;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
高温退火工艺可以消除硅片近表层的COP,使得近表层晶体结构更加完美。本文研究了高温退火工艺参数变化对300mm硅片COP消除效果的影响,分析了高温退火温度和恒温时间对COP...
[会议论文] 作者：吴倞;张维佳;郭卫;沈燕龙;赵而敬;张静;,
来源：2009全国功能材料科技与产业高层论坛 年份：2009
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了B掺杂纳米硅薄膜。研究了B烷掺杂比、射频功率对掺B纳米硅薄膜生长特性和光电性能的影响。研究结果表明,掺杂少量的B有利于非晶硅...
[会议论文] 作者：郭卫;张维佳;吴倞;赵而敬;沈燕龙;张静;,
来源：2009全国功能材料科技与产业高层论坛 年份：2009
采用等离子体增强化学气相沉积工艺(PECVD),在工作气压约300Pa下,制备了优质的本征非晶态薄膜(I层)和掺磷的纳米硅薄膜(N层)。并将制备的掺磷纳米硅薄膜应用于纳米硅薄膜太阳...
[期刊论文] 作者：李宗峰,冯泉林,赵而敬,盛方毓,王磊,李青保,,
来源：半导体技术 年份：2013
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经...
[期刊论文] 作者：王永涛, 赵而敬, 尚锐刚, 李明飞, 鲁进军, 张建, 蔡,
来源：半导体技术 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者：赵而敬, 张维佳, 沈燕龙, 张静, 林军, 杨东杰,
来源：第七届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2020
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[期刊论文] 作者：郑捷, 曹孜, 赵而敬, 蔡丽艳, 安瑞阳, 苏冰, 何宇,,
来源：产业与科技论坛 年份：2019
本文介绍了晶向偏离度的测定方法,阐述了三种不同要求下晶向偏离度的测定方法,并描述了一些可能导致晶向偏离度计算错误或者晶向偏离不一致的情况。...
[会议论文] 作者：赵而敬, 张维佳, 沈燕龙, 张静, 林军, 杨东杰, Ha,
来源： 年份：2004
利用射频为13.56MHz的等离子体化学气相沉积(PECVD)设备,通过对电池的本征和N型纳米硅薄膜的制备工艺以及电池背电极的烧结工艺参数优化,制备出结构为Al栅极/ITO/N-nc-Si:H/I...
[会议论文] 作者：张静;张维佳;赵而敬;沈燕龙;杨东杰;林军;HavugimanaJeanJacques;,
来源：第七届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2010
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[期刊论文] 作者：史训达,刘云霞,林霖,杨少坤,蔡丽艳,赵而敬,刘卓,
来源：物理化学进展 年份：2018
化学机械抛光后的硅片,都会在去离子水中浸泡一段时间才会做后面的最终清洗。但浸泡时间和浸泡条件会影响到最终的清洗效果。本文研究了不同浸泡条件下,硅片经过最终清洗后表...
[会议论文] 作者：沈燕龙,张维佳,赵而敬,张静,杨东杰,林军,亚克,
来源：第七届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2010
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[期刊论文] 作者：蔡丽艳,郝玉清,安瑞阳,赵伟,刘佐星,刘云霞,郑捷,赵而敬,,
来源：价值工程 年份：2018
半导体材料制造业是技术密集,资金密集的高技术产业,降低在制品数量,减少加工周期不仅可以快速满足用户的交货要求,还能降低成本,是企业提高市场竞争力的有效方法,本文讨论利...
[期刊论文] 作者：赵而敬,王永涛,曹孜,刘建涛,张静,郑捷,蔡丽艳,钟耕杭,韩,
来源：材料科学 年份：2018
通过对单晶硅外延表面反应机理和表面测试分析,发现抛光片表面粗糙程度对外延后0.12 um颗粒分布有影响。表面微粗糙度Ra在0.5~0.8 nm左右,经过外延生长,硅片表面经过颗粒检测...
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