LDD相关论文
无线通信系统巨大的能量消耗已经引起广泛关注,以能效为导向的绿色通信设计已成为一个热点研究方向。文中对正交频分多址接入（Ortho......
利用TSMC0.18μm CMOS工艺设计了一块LDD（Laser DiodeDriver）电路,该LDD设计工作频率为15Gb/s,电路采用直接耦合的两级差分放大器结......
采用CSMC0．6um CMOS工艺设计实现了速率为622Mbps的4：1复接器和激光二极管驱动器电路。4：1复接器采用树型结构，由3个2：1复接器组成。激......
研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电......
Maxim Integrated Products推出带有模拟LDD接口的SFP＋控制器DS1873。DS1873配合MAX3736激光驱动器使用，能够控制和监测SFF、SFP和SF......
HDI产品激光直接打铜(LDD)工艺对铜厚、棕化效果要求苛刻,否则易出现激光钻孔不良的问题.文章通过树脂材料对比、铜箔型号对比、棕......
提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区。并利用......
通过对采用0．18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0．18μm，Tox=3．2......
Lhermitte-Duclos 病(LDD)又称为小脑发育不良性神经节细胞瘤(dysplastic gangliocytoma of cerebellum),是一种罕见的起自小脑皮......
Maxim推出带有模拟LDD接口的SFP+控制器DS1873。DS1873配合MAX3736激光驱动器使用,能够控制和监测SFF、SFP和SFP+光模块的所有功能......
针对传统分布式入侵检测系统的缺陷，文章提出了一种适用于无线网络通信环境的新型分布式入侵检测系统模型，详细介绍了其组成部分：逻辑......
本文研究了N型MOSFET在高漏压低栅压条件下的热载流子注入效应。在3．3VN型MOSFET的漏端和栅极上分别加上5．5V和O．65V电压，发现在电应力......
该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构，Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸......
背景老年腰椎退行性病变(LDD)患者经骨科大手术后易出现气虚血瘀证候,致使运动性疲劳,不利于术后康复锻炼的开展,增加椎管内瘢痕粘......
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件......
近些年来，以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其禁带宽度大、电子饱和速度高、导热性能好等优点，在高温、大功率、微波器件领域拥有......
目前,信息化潮流席卷全球,用于实现信息化的平台主要有个人计算机系统和嵌入式系统。无论是个人计算机系统的x86处理器体系还是嵌......
与传统的Si、Ge和GaAs等材料相比,GaN材料因具有击穿电场高、电子迁移率大、导热性能良好和抗辐照等特点,成为近期功率半导体器件......
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