热载流子注入相关论文
随着集成电路技术发展,场效应晶体管的沟道尺寸不断缩小,其可靠性问题也随着电场强度和电流密度的增大而变得日益突出。作为影响可......
随着MOS器件尺寸不断缩小,器件内沟道电场和电流密度激增,高电场诱生大量的界面态从而导致器件性能退化。本文研究相同工艺条件下,......
安全工作区(SOA)是MOSFET器件设计中的一个关键参数。传统CMOS在衬底电流-栅极电压曲线上只出现一个衬底电流峰值,该峰值可直接反......
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件......
介绍了圆片级可靠性技术产生的背景，对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连......
基于0．18gm高压n型DEMOS（drain extended MOS）器件，报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验，结果发现器件电......
研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验......
主要阐述了电荷泵技术在14VHVMOS晶体管可靠性研究中的应用。使用了一种改进的电荷泵技术分析了经过热载流子加压后的器件特性。使......
研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier rejection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性．测量了......
高压场效应管是 BCD 工艺中的核心器件,常用有 LDMOS（Lateral-Double-Diffused MOS,横向双扩散场效应晶体管）和 DDDMOS（Double-Diffus......
本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入（hot-carrier Injection,HCI）和负偏压温度不稳定......
本文研究了N型MOSFET在高漏压低栅压条件下的热载流子注入效应。在3．3VN型MOSFET的漏端和栅极上分别加上5．5V和O．65V电压，发现在电应力......
随着器件尺寸向超深亚微米的不断发展,负偏置温度不稳定性和热载流子注入对器件可靠性的影响越来越严重.研究了负偏置温度不稳定性......
研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入（hot—carrier injection，HCI）和负偏压温度不稳定效应（negative bias temperature instability......
集成电路老化的影响,随着集成工艺尺寸越来越小而越来越明显。其主要影响表现在增加了电路元件的输入-输出信号的延迟,从而降低了......
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试,对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通......
IGBT作为最新一代的复合全控型功率器件,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、工作频率高等诸多优......
由于SOI LDMOS器件具有开关速度快、功耗低、介质隔离性好以及易于集成等优点,在电子驱动、电源管理和汽车电子等领域得到广泛的应......
随着集成电路技术节点的降低,器件可靠性问题变得越来越严重,成为限制产品寿命的主要因素。在纳米CMOS器件中主要可靠性问题包括：热......
随着CMOS工艺的发展,栅介质层的厚度不断减薄,导致栅的泄漏电流不断增大,这使得传统测量界面态的C-V法受限,不适用于研究短沟道器......
为了减小芯片电路的复杂度和芯片尺寸,高压双扩散漏MOS晶体管(High-Voltage DDDMOSFET)常常与深亚微米CMOS电路集成在一起应用于LC......
学位
功率集成电路将低压控制电路、保护电路和高压功率MOS器件集成在一起,显著提高了整机的集成度和稳定性,降低了成本。功率MOS器件是......
研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低......
在集成电路制造厂的工艺监控体系中引入可靠性监控对于控制产品的可靠性十分重要。圆片级可靠性测试技术通过对集成电路产品的工艺......
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退......
