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研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-......
GaN MOSFET器件在高温、高频、大功率等方面具有广阔的应用前景,受到越来越多关注,目前对该器件的研究正处于起步阶段。对于n-GaN ......
