饱和电流相关论文
光电效应现象及其规律是原子物理部分非常重要的内容，但是由于没有现成的实验器材，课堂上教师更多采用纯理论讲解的教学方式，学生没有......
在配电网中由电压互感器引起的铁磁谐振现象频繁发生,影响电力系统的安全稳定运行.微机消谐装置因其运行成本低、便于维护、一个系......
为解决电路互感器饱和现象对配网电流保护的影响问题,因此,介绍了电流互感器的应用情况,并且在对其瞬时速断保护和定时限过电流保......
随着传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）缩小到20nm以下,栅极氧化物厚度减小,栅极对沟道区域的控制能力减弱。短沟道......
学位
本文从理论角度对钇稳定ZrO界限电流型微氧氧传感器设计进行了分析研究.研究结果显示,在被测环境氧浓度应小于5﹪下,被测环境氧浓度......
仪器的特点所用元件参见图1。电压表利用万用电表的电压档,电流表是利用一台灵敏电流计,光电管,二极管和电容器到市场上购买。这......
基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓......
重掺杂对硅锗基区带隙的影响＝ＥｆｆｅｃｔｏｆｈｅａｖｙｄｏｐｉｎｇｏｎｂａｎｄｇａｐｉｎＳｉＧｅｂａｓｅｒｅｇｉｏｎｓ［刊，英］／Ｍａｎｎｉｎｇ，Ｂ．Ｍ．…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ．－１９９３，１１（３）．－１１９０～１１９２根据实验器...
Effect of heavily doped silicon germanium base band gap = Effectofheavydo......
对半导体制冷中的论和电流现象进行了解释。理论分析表明，要使器件在△Tmax条件下工作，对元件高度应有一定限制。
Explain the theo......
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的......
AlGaN基HFET已显示出在高功率微波应用的巨大潜力。包括频率响应在内的问题已得到解决,频率响应被载流子迁移率和栅长所限制,做了......
UCLA,JPL和Epitronics报道了在半绝缘4H-SiC衬底上生长的非掺杂沟道Al0.30Ga0.70N/GaNHFET,器件没有制作空气桥,获得的fmax达到了1......
研究了高温和大电流应力对 ＴｉＡｌ／ ＧａＡｓ和 ＴｉＰｔＡｕ／ ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管 Ⅰ～ Ⅴ特性及对 Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图 的影响．研究发现，随着应力时间的增加，在 Ｒｉｃｈａｒｄｓｏｎ图上，对ＴｉＡｌ／ ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管势垒高度快速降低......
位置敏感探测器 (PSD)是一种基于横向光电效应的光敏器件 ,本文从描述横向光电效应的 Lucovsky方程出发 ,分析了几种不同情况下一......
最近的观测已经表明,除了其它方法外(Friedmann,1977 a),地下水和泉中氡浓度可以作为一种地震预报的方法。关于地震预报的监测,氡......
对薄膜积累型SOIpMOSFET的制备和特性进行了研究 .把一些特性和反掺杂型SOIpMOSFET进行了比较 .其亚阈值斜率只有 6 9mV/decade ,......
报道了蓝宝石衬底、栅长为0.3μm AlGaN/GaN HEMT器件的制备,在未采用散热设备的条件下测得栅宽为100μm器件的饱和电流为55.9mA,......
工件在中频感应加热过程中,有许多原因可引起工件与感应器相触接,造成打火烧伤工件的事故,对此不少工厂都有深刻的教训。发生打火......
本文用电化学氢渗透法,研究了钝化膜、极化电位及介质中pH值对氢在稳定奥氏体不锈钢中渗透行为的影响。测定了氢在310奥氏体不锈钢......
本文研究了采用高温固相法合成的Ba3Gd(PO4)3:Dy3+荧光粉的阴极射线发光特性。测试并比较了电子轰击前后荧光粉的CL谱、色坐标以及......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1μm,源漏间距4μm,槽深10nm的器件在1.5V栅压下饱和电流达到233mA/mm,最大......
报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道......
提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路。该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本。采用了双开关......
分析了崖层在单行载流子光电探测器(UTC-PD)中的作用,以及其对UTC-PD的3dB带宽的影响。研究结果表明,崖层使得异质结处电场强度增......
利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关......
在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射......
采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al_2O_3为栅介质的高性能AlG aN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20......
在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现......
在这篇文章中,主要通过标准的F离子注入技术实现增强型metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors(MIS-H......
本文对2021年江苏省新高考适应性考试物理卷第14题,学生在考试中出现的4种典型问题进行梳理,并逐一分析.......
用于正确测定普朗克常数的光电管GD-27(类似于两德Leybod公司生产的55877光电管),由于其结构特殊,便于测定h值,因而受到人们的注意......
介绍一种以锗二极管作为测温元件的数字温度计,并对其电路原理进行了分析.
A kind of digital thermometer with germanium diode......
“光电效应”是物理光学的重要理论,是光的粒子性的一个重要体现,也是高考考查频率较高的内容之一,学习中要澄清一些易混淆的概念,......
<正>仔细研究一下现行高中物理课本选修3-5(人教版)"科学的转折:光的粒子性"这节内容可以发现,教材中涉及"光电效应"部分的内容不......
研究讨论了一种利用半导体二极管伏安特性进行朗缪尔探针性能测试的方法.设计的朗缪尔探针性能测试方法对外界因素要求较低,在常温......
光电效应是光的粒子性的重要体现,它的规律是从实验中总结出来的,抽象难懂,而教材对此介绍的又不是很详细,学生在认识、学习和理解......
614-A_2型电子交流稳压器依靠1个磁放大器和自偶变压器串联起来跨接在电源和输出之间,输出端上接1个特制的钨丝二极管,当电源电压......
我校开展的双主课堂教学模式的实践,其本质之一就是探究一种结构,也就是教师的主导的结构和与学生自主的结构,以及两者整体的结构......
主要叙述了在金刚石镀膜装置中，利用平行马赫探针测量了沉积室中的等离子体漂移速度，采用了Ｈｕｔｃｈｉｎｓｏｎ的流体力学模型分析了数据。测得马赫数Ｍ为......
p-n 结二极管的电荷存聍(因而也卸恢复时间)问题曾经是结式二极管在开关线路中应用的一个最麻烦的现象。如果一遇辑门中的许多二极......
