方块电阻相关论文
选择目前市场主流的M10单晶PERC作为研究对象，就PERC生产技术中较为通用的SE掺杂技术进行分析。通过调整SE掺杂技术中的激光划线速......
以标准射频同轴线及SMA射频连接器为核心组件,搭建了基于半波长同轴谐振器的近场微波显微镜测试系统,并以透明导电薄膜样品进行了......
透明导电薄膜是一种柔性薄膜,具有导电性好和透过率高等特点。随着现代科技的进步,传统透明导电薄膜氧化铟锡由于原材料短缺、脆性......
为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga......
在预处理室中对ITO薄膜进行等离子体处理,研究分别在氧气、氮气、氨气及空气四种工作气体下,等离子体处理压强和处理时间对薄膜的......
利用旋涂技术制备了银纳米线(AgNW)薄膜,对该AgNW 薄膜进行了溶剂蒸发退火处理。研究了所制备的AgNW薄膜的方块电阻、光学透光率、......
通过提高发射区方块电阻, 配合密栅线丝网印刷工艺, 制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,......
文中介绍太阳能电池片扩散原理以及PN结的制作过程,通过控制硅片在扩散中相应步骤的工艺时间以及扩散温度,得到不同结深、不同方块......
本文阐述了把BF2离子团作为一种受主杂质在器件中的应用。认为在半导体器件工艺中,BF2离子团不仅可以代替B离子掺杂,而且由于损伤......
利用磁控反应溅射镀膜方法在低温(250℃)条件下制备了主要成分为B相亚稳态二氧化钒(VO2)的薄膜材料。电学性能测试表明:室温下该薄......
通过对AlGaInP LED器件进行电流分布模拟,得出电流扩展长度与注入电流和电流扩展层方块电阻之间的变化关系。实验制备出带有Au纳米......
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比......
采用射频磁控溅射与电子束蒸发的方式,制备了ZnO/Ag/ZnO三层复合薄膜,研究了Ag薄膜厚度以及电子束蒸发的沉积速率对复合薄膜光电性......
当前,透明导电薄膜在实际工业生产中扮演着非常重要的角色,它广泛应用于触摸板,液晶显示器,太阳能电池,有机发光二极管等光电器件......
以马铃薯淀粉为原料,合成可反复弯曲折叠的淀粉柔性透明基底膜,通过多元醇法制备银纳米线导电液（AgNW）,同时在银纳米线导电溶液中引......
液晶透镜可以通过施加控制电压来改变焦距,其本质主要是液晶分子的极性基在电场的作用下会使液晶分子发生转动,转动后的液晶分子可......
在MgF_2基片上,采用电子束蒸发镀膜法制备了掺锡氧化铟(ITO)导电基底,研究了充氧及退火对ITO薄膜电阻及紫外透射比的影响。并与传......
利用超声喷雾热解方法,用普通载玻片作为衬底,在400℃下制备了不同铝掺杂量的氧化锌(ZnO:AI或AZO)薄膜,在并对其光学及电学特性进......
随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断地改善。本文以扩散工艺为例,同时在计算机上采用SUPREM-Ⅲ软件进行扩散初......
在金属-氧化物-半导体集成电路中,以硅栅代替铝栅的方法具有低阈值电压和自对准结构等优点,为国内外广泛采纳。硅栅MOS集成电路对......
一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散......
集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低......
我们使用上海有色光学玻璃厂生产的硼微晶玻璃片作为P型扩散源,生产硅高频大功率晶体管.在使用过程中,我们感到硼微晶玻璃片有以......
采用电子束蒸发镀膜方法在K9玻璃基底上分别镀制了ITO/SiO2/ITO,ITO/Ti2O3/ITO和ITO/MgF2/ITO结构的多层薄膜,用四探针方块电阻仪......
铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜是典型的氧化锌材料。伴随着太阳能电池等新兴高技术行业的兴起，AZO薄膜展现出巨大的应用潜力，研究者对AZO的......
本文以SnO2透明导电膜为研究对象，为了提高薄膜的电导率，可以进行适当的掺杂，现在一般选用F或者Sb作为掺杂。文中对于两种掺杂的二氧......
半导体纳米晶体（也称为量子点）一直是纳米领域的研究热点,它具有独特的光吸收性质,将其引入到光电复合体系中会改善体系的光电性能。......
银纳米线具有较高长径比、较高的比表面积和优异导电性能，是一种新型的一维纳米材料，被广泛地应用于透明导电薄膜、催化材料、生物传......
由于透明导电氧化物薄膜材料有低的电阻率和在可见光范围内高的透光率等优良特性,可应用在太阳能电池、平板显示器、电磁屏蔽和气......
学位
采用激光掺杂技术研究p型单晶硅片背面局部掺硼,实验中选取三种硼掺杂源,并得出硼酸溶于丙三醇溶剂中掺杂浓度最高,以它作为掺杂源......
二氧化锡(SnO_2)是一种具有直接带隙的宽禁带N型半导体材料,300K时其禁带宽度为3.62eV,室温下电阻率较高,当产生氧空位或掺杂元素......
摘要：本文主要研究了腐蚀法制备单晶硅选择性发射极太阳能电池。选择性发射极的核心是表面的重/轻掺杂区发射极,本文通过深入的研究......
采用稀硫酸溶液清洗以除去在铜晶种表面形成的氧化物.将通过溅射沉积在Ti/Si(100)薄片上生成的铜晶种暴露在空气中来生长原生铜氧......
对有机玻璃表面透明导电膜的结构、制备工艺和特性进行了研究,通过金属氧化物复合薄膜的膜系结构设计,采用磁控溅射镀膜方法和最佳......
摘要: 对N型硅单晶深扩散所形成的P型扩散区,进行关于P型耗尽层界面的研究,导出P型耗尽层方块电阻及耐压的结论,提出P型耗尽层宽度......
研究了直流磁控溅射法制备的ITO薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ITO薄膜光电特性的影响.在低衬底温度、低溅射......
研究了溅射Ｔａ膜的电学和结构特性与Ｎ２气分压的关系，并确定了电学性能稳定的低阻α－Ｔａ薄膜（电阻率３４μΩ·ｃｍ）的制备工艺条件。
The relationship......
文章介绍的是由射频(RF)溅射反应沉淀制备的TaN薄膜,以及在各种N2/Ar气流比例和工作压力下测试其电阻率变化.从x射线衍射(X-RD)图......
研究了在4H-SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟.为了测试注......
采用稀硫酸溶液清洗以除去在铜晶种表面形成的氧化物.将通过溅射沉积在Ti/Si(100)薄片上生成的铜晶种暴露在空气中来生长原生铜氧......
引言导电高分子既有导体材料的光电学特性,又有良好的力学性能和可加工性[1],这使得导电高分子材料具有广泛的应用前景。聚噻吩类......
溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法.实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺-低压反应离子镀方......
