调制掺杂相关论文
由于多铁性材料丰富的物理内涵和巨大的潜在应用价值,近十几年来寻找强磁电耦合的高温多铁性材料一直是凝聚态物理和材料科学领域......
量子信息技术的发展对单光子探测器提出了更高的性能要求,新型的量子点单光子探测器具有很好的性能和发展潜力。研究了一种基于量......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接宽禁带隙化合物半导体,因其价廉、环保和性能稳定,有望取代ITO和FTO应用于太阳能电池前电极器件上,有......
近十年来,分子束外延技术(简称MBE)以其独特的优点在多方面取得了令人注目的发展。本文从六个方面讨论了MBE技术目前的发展情况。M......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NM......
根据电化学C-V测量AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N+-N与P+-P两种同型......
在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能(主要是跨导)的影响......
采用系综Monte Carlo（EMC）方法首次对光泵量子阱THz激光器的载流子瞬态动力学进行了分析.提出的器件原型为三能级调制掺杂GaAs/GaxAl......
基于调制掺杂的ZnMgO／ZnO异质结构模型，通过自洽求解一维泊松一薛定谔方程，研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO／ZnO异质界面处二维电子......
通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线......
随着光纤通讯和高速信息化的发展,作为光纤通信的光源,对半导体激光器的性能要求越来越高。因为半导体量子点独有的材料特性,国内......
本论文内容围绕Ⅲ-N材料生长及物理研究展开。整个论文工作从建立射频等离子体分子束外延生长设备起步，最终目标面向AlGaN/GaN异质......
学位
对 Ga As基调制掺杂异质结材料中作为沟道层的 In Ga As的生长条件进行优化 ,并在缓冲层中嵌入LT-Ga As。功率 PHEMT器件结果为在......
本文首先从理论上分析并计算了压缩应变多量子阱激光器的增益特性，并且讨论了在多量子阱垒区进行ｐ型强调制掺杂的情况下，价带空穴的准......
ZnO因具有超高击穿电压、高饱和电子迁移速率、较宽的禁带宽度等一系列优越电子性能,在半导体材料研究中受到了广泛的关注,是继氮......
