为了在单片上实现半导体激光二极管与探测器的集成, 开展了外延材料生长及结构工艺的设计研究。通过刻蚀工艺引入隔离区的方法制备......

相较于面入射型和边入射型光电探测器,倏逝波耦合型光电探测器(evanescent coupling photodetector,ECPD)能够同时具备高带宽和高......

通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In（0.53）Ga（0.47）As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下......

通过分子束外延生长和开管式Zn扩散方法,制备了低暗电流、宽响应范围的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管.在0.95倍雪崩击穿电压下......

首次应用一种新的物理构想和工作机制设计新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算，器件研制和测试分析，结果表明，这种新探测器与常规ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱......

基于光纤传输、量子通信等技术对低噪声、高信噪比探测器的需求,高探测率、高灵敏度、智能集成化的APD探测器越来越多地应用于当代......

近年来,伴随着量子通信系统的迅速发展,量子通信器件的研制受到广泛关注。基于单光子雪崩光电二极管(SPAD)的单光子探测器作为量子......