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共掺锗相关论文
重掺磷直拉硅单晶中缺陷的研究
重掺杂直拉硅单晶既可以消除CMOS器件的闩锁效应,也能够有效地降低器件的功耗,而广泛用作硅外延片的衬底材料。氧沉淀和空洞型缺陷......
学位
重掺磷
共掺锗
直拉硅
氧沉淀
流动图形缺陷
空洞型缺陷
快速热处理
氧扩散
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