功率VDMOSFET相关论文
本文推导出在外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式及使外延层理想比电阻达到最小值时电阻率和厚度的精确表达......
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为20 V......
介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型,计算了不同漏源击穿电压下,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例,分析......
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,缰过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,Tox与R......
近二三十年来,由于功率MOSFET具有电压控制、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、热稳定性好等一系列优势,得到了迅猛发展,应用......
垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构中包含一个由p阱和n-漂移区构成的寄生二极管。本文就当前同步整流DC/......
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