特征电阻相关论文
通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ=5~8......
简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理，重点讨论了特征导通电阻（）与结构参数的关系，给出了的数学模型．该模型具有形式简单、结果准确和使......
分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面......
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电......
大功率超声电信号通过特种电缆传输时,其电流损耗比较大。为了解决该电信号的长距离传输问题,用4294A阻抗分析仪对单芯同轴电缆进......
介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,缰过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V,Tox与R......
对低压VDMOSFET导通电阻Ron的各个构成部分进行了理论分析 ,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的......
介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻......
