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由中国科学院半导体研究所和北京中科镓英半导体有限公司共同承担的“863项目”——直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究成果，不......

本刊讯：2006年2月28日大庆佳昌科技有限公司采用自主创新的WLEC法（王氏液封直拉技术）在国内率先拉制出200mm砷化镓单晶。......

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100ram（4英......

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100mm（4英寸......

技术开发单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 技术简介该研究所采用垂直梯度凝固（VGF）锗单晶生长技术制备超薄锗片，突破了4英寸......