用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数，如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。实验采用浮舟技术控制晶......

自1952年提出A~NB~((?)-N)的化合物具有半导性以来,极大地促进了对半导体材料的制备和研究。随着半导体器件向超小型、高速、高频......

介绍了近几年磷化铟合成及其单晶生长的进展情况。对提高晶体成晶率、降低缺陷密度、改善晶体的热稳定性等新工艺、新技术进行了分......

生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法I......

研究了影响ＬＥＣ（液封直拉法）生长ＧａＡｓ单晶锭长的因素。发现，ＬＥＣ系统中热场分布、热对流、坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对ＬＥＣ法生长的ＧａＡｓ单晶......