砷化镓单晶相关论文
砷化镓(GaAs)单晶是重要的半导体材料,通常采用VGF/VB、HB以及LEC等方法生长。本文报道了砷化镓单晶改进型坩埚下降法生长研究结果......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形结果表明,在压痕周围除了产生玫瑰型分布的位错组态和二次对称的孪晶结构外,还......
中国电子科技集团公司第四十六研究所（原信息产业部电子46所）是电子材料专业研究机构，是国内最早从事半导体材料和光纤研究开发的单位......
研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表......
针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和......
采用Z-扫描和泵浦-探测技术,在光通讯波段对砷化镓(Ga As)单晶进行了非线性动力学以及非线性光学的实验研究。飞秒泵浦-探测实验结......
利用高分辨电子显微镜对 ０.００４９ Ｎ和 ０.０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明．在大小压痕作用下分别发生了单晶向非......
本文采用TEM和阳极腐蚀法、化学腐蚀法,研究了原生掺Si砷化镓单晶中的微缺陷及其行为;并确定了这些缺陷的性质.结果表明,在掺Si砷......
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在......
<正> 分子束外延(简称MBE)技术是在真空蒸发基础上发展起来的晶体生长新技术.它是在超高真空条件下,构成晶体的各个组分和掺杂原子......
<正> 砷化镓单晶材料是当今世界移动通讯、微波光电集成电路及光电子领域中的基础衬底材料。国际上GaAs单晶生长方法的主流技术是:......
在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得......
我国第一套蒸气压控制直拉法(VCZ法)晶体生长系统和工艺技术,成功控制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷化镓单晶,使我国成为继日......
在常温和低温下对砷化镓单晶进行压痕实验,分析温度对砷化镓单晶片显微硬度及其裂纹产生和扩展的影响。结果表明:当试验载荷处在低......
