采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0......

采用多晶硅栅全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ工艺成功研制出多晶硅栅器件，其中Ｎ＋栅ＮＭＯＳ管的阈值电压为０．４５Ｖ，Ｐ＋栅ＰＭＯＳ管的阈值电压为－０．２２Ｖ，在１Ｖ和５Ｖ电源电压下多晶硅栅环振电路的单级门延......

利用0．35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术（SOI）互补金属氧化物半导体（FD SOI CMOS）器件，器件制作采用双多晶......

在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的......