采用双多晶硅栅全耗尽CMOS/SIMOX工艺成功研制出双多晶硅栅器件 ,其中N +栅NMOS管的阈值电压为0.45V ,P +栅PMOS管的阈值电压为 -0......

利用0．35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术（SOI）互补金属氧化物半导体（FD SOI CMOS）器件，器件制作采用双多晶......