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变组分缓冲层相关论文
MM-HEMT材料的分子束外延生长研究
研究人员用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长了以InGaAs为沟道的HEMT材料。对应于P-HEMT(Pseudomorphic HEMT),这种HEMT被称为Metam......
会议
材料
衬底温度
变组分缓冲层
分子束外延
晶格失配
结构层
质量
微米
实验
人员
器件
厚度
沟道
方法
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