晶格失配相关论文
过渡金属是常见的二氧化碳甲烷化催化剂,其中金属镍凭借转化率高、稳定性能好以及价格低廉等优点成为实验室常用的催化剂。但镍催......
基于AlN和GaN等Ⅲ族氮化物材料的第三代半导体照明器件具有广阔的应用前景，但常用的蓝宝石衬底散热差且与AlN、GaN存在较大的晶格失......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
市面上一般有三种材料可作为衬底:蓝宝石(A12O3)、硅(Si)、碳化硅(Sic)。其中蓝宝石是使用最多的衬底材料,具有生产技术成熟、器件......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓的晶格失配小,SiC单......
利用MBE的方法在晶格失配的GaAs衬底上制备了新型红外探测材料InAs0.07Sb0.93薄膜。并利用电子束刻蚀的方法在InAs0.07Sb0.93薄膜......
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长......
氧化镓（β-Ga2O3）晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等......
利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,......
本文报道在晶格失配ＧａＡｓ衬底上分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度研究结果．用位错腐蚀坑密度（ＥＰＤ）、Ｘ射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法，对ＣｄＴｅ缓冲层以及......
由于Ge/Si存在4.2％晶格失配,Si基外延Ge中的穿透位错密度(TDD)极高,导致器件暗电流偏大.低温Ge/Si异质键合可以通过抑制失配位错传......
我们通过对在不同氧分压下进行后处理的CdS/CdTe薄膜的断面及光能隙的研究,发现在氮氧(4∶1)气氛下后处理的薄膜CdS层明显减薄,这......
YBa_2Cu_3O_(7-δ) (YBCO)晶体是一种包含氧空位的正交结构,它具有高度的各向异性,并且电流的传导被限制在CuO面(即a-b面),因此沿C......
学位
近年来，因在光、电、磁及机械力学等领域具有极大的应用前景，宽带隙半导体SiC一维纳米材料已经引起了人们极大的兴趣，成为低维纳米材......
热光伏电池即红外光电池，就是将高温物体的热辐射能通过半导体pn结转换成电能。本文讨论InP衬底外延In0.68Ga0.32As热光伏电池研制......
氮化铟(InN)是Ⅲ族氮化物半导体材料中重要的组成部分,它具有最小的电子有效质量、最高的载流子迁移率和饱和漂移速率等,这些优异......
该论文主要利用动力学蒙特卡洛(KMC)模拟对超薄膜生长中的两个问题进行了详细研究.第一个是团簇扩散问题,主要涉及团簇扩散的机制......
本文以无铝化合物半导体材料生长及其物理特性研究为研究方向，文献调研和探讨了无铝化合物半导体激光器的研究进展；阐述了分子束外延......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制......
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结......
采用紫外脉冲激光沉积技术分别在LaA1O3(LAO)、(LaAlO3)0.3-(SrAlTaO6)0.7(LSAT)和SrTiO3(STO) (001)单晶衬底上制备了La0.825Ca0.......
由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以......
用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨......
研究了ZnO薄膜中应力对发光的影响.实验样品为ZnO体单晶、在Si基片上直接生长的ZnO薄膜以及通过SiC过渡层在Si基片上生长的ZnO薄膜......
研究了纳米线环形晶体薄膜涂层中失配位错偶极子与纳米线的干涉效应,并考虑纳米尺度应力效应及纳米线晶格失配的影响.运用弹性复势......
论述键合的双结GaAs/InGaAs太阳电池的研制,界面采用p++GaAs/n++GaAs隧穿结,开路电压大于1.15V,效率比国际报道的同类键合两结电池......
研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄......
用磁控溅射方法在不同单晶衬底材料上制备了一系列含La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜。当薄膜厚度大于200?,在我们实验条件下可观测到金......
介绍了在蓝宝石/氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术.通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜......
期刊
基于组合杆的平衡条件,分别建立了晶格失配、热失配以及由两者共同导致的异质结构应变和应力分布模型,并获得了异质结构的晶格失配......
用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界......
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性.HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释.ECV表明界面存在高密度载流子层.AFM图......
利用溶胶．凝胶（Sol-gel）法制备了La0.7Sr0．3MnO3（LSMO）靶材，并采用脉冲激光沉积（PLD）的方法在LaAlO3（100）、MgO（100）和SrTiO3（100）衬底上沉积了外......
文章采用富Te水平推舟液相外延工艺在CdZnTe衬底上生长了HgCdTe外延薄膜。研究了外延薄膜／衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平......
采用非平衡态分子动力学方法模拟了超晶格的法向导热系数随周期长度的变化关系．模拟结果表明，在晶格匹配的超晶格中，当周期长度同声子......
国际半导体技术发展路线图(ITRS)无论对产品制造商还是设备制造商都提供了一个明确的指导方向,甚至可据此订立公司内部的发展规划.......
本文采用LPCVD技术在高温条件下，利用甲烷和氢气混合气体作为碳源，在n—Si（111）衬底上制备3C—SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT—IR和P......
本文为改善反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化方法,采用LPCVD技术,将甲烷和氢气按1∶10比例混合后与n-Si（111）衬底反应,制......
介绍了晶格失配和反向生长等新技术及量子阱等新材料在Ⅲ－Ⅴ化合物半导体太阳电池方面的研究进展，探讨了相关的技术发展概况和技术难......
采用低压金属有机化学气相沉积设备（LP-MOCVD）进行了最终组分为In0.17Ga0.83As的渐变缓冲层结构的生长实验,获得了可以应用于晶格失......
阐述了SiGe技术迅速发展的原因.重点介绍了在蓝牙系统中采用SiGe技术,可以得到非常优异的特性.......
采用溶胶-凝胶方法合成了名义组分为Bi2Sr2-xCaCu06＋8（x=0．1、0．3、0．5、0．7和0．9）的系列样品，运用XRD、TEM和四引线法，研究了钙掺杂对Bi-220......
讨论了高温超导体中普遍存在的缺陷、不均匀性、晶格失配及其应力钉扎等问题。由于氧化物超导体临界温度与无严重畸变且有足够载流......
利用X射线衍射谱（XRD）、紫外-可见（UV—Vis）吸收光谱、荧光光谱（PL）系统地研究了不同表面、多种尺寸的CdSe半导体量子点（QDs）的光学性质、......
不同厚度的La0．7Sr0．3MnO3（LSMO）外延薄膜被沉积到立方相的LaAlO3（001）单晶衬底上，XRD测试结果显示，LSMO外延膜的结构是单相的，具有与衬底相......
