后退火工艺相关论文
该课题主要研究了以VO为基的抗激光致盲工作原理和VO薄膜制备的工艺,以大量的国内外文献作为参考独自摸索出了采用反应离子溅射以......
采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均......
本工作采用X光衍射方法对经质子轰击工艺的GaAs样品做了分析测试,得出了GaAs经质子轰击及随后退火工艺造成缺陷的信息情况,本工作......
图4a和4b分别为在UV-近红外光谱,刚沉积和经后退火工艺两种情况下的TiO2膜.以上两种情况在可见光区域透射比几乎相同,与后退火无关......
研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体，当铟的摩尔分数（ｘ）不同时，后退火对ＩｎＧａ１－ｘＡｆ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３，０．３７，０．５０，１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和......
研究了退火条件和Ｉｎ组份对分子束处延生长的ＩｎＧａＡｓ量子点（分别以ＧａＡｓａ或ＡｌＧａＡｓ为基体）光学特性的影响。表明：量子点中Ｉｎ含量的增加将导致载流子的定域能增加......
