直拉硅单晶相关论文
直拉硅单晶是半导体行业最重要的基础材料,半导体集成电路器件对硅材料行业提出了生产大直径、高品质硅单晶的要求。本文正是在这......
数值模拟技术是分析和优化大直径硅单晶生长的有效工具.本文采用有限元分析软件FEMAG-CZ计算了300mm直拉硅单晶生长过程中,反射器......
数值模拟技术是分析和优化大直径硅单晶生长的有效工具。采用有限元分析软件FEMAG-CZ计算了在700mm热场中生长300mm直拉单晶硅的过......
设计一种二维轴对称和三维混合的数值计算模型,对水平磁场作用下的直拉硅单晶生长进行了研究。结果表明,由于水平磁场的非轴对称性......
总结了熔体中生长直拉硅单晶的基本控制要求,讨论了Cz法单晶生长中的各种流动及其对硅单晶生长的影响。借助于计算机模拟结果,显示......
本文研究外加高压(1GP)对硅片在低温、中温和高温热处理过程中氧沉淀生成的影响.通过透射电镜观察发现氧沉淀的形态和大小与常压下......
采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均......
本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可......
本文利用热处理方法,借助于红外光谱仪、扫描电镜等研究了太阳电池用直拉硅单晶中氧和氧沉淀性质.......
该语文研究了Φ１２５ｍｍ单晶氧的径向均匀性，为控制氧径向均匀性应首选择Φ１２５ｍｍ热场，增加晶转速度可以改善氧径向均匀性。......
该文概述了直拉硅单晶在快中子、γ射线、电子辐照下的辐照效应（主要是载流子去除效应和少子寿命的降低），对γ辐照实验做了重点研究，发......
在大直径硅单晶生长中，直径控制是十分关键的，它直接影响单晶的成品率。影响直径控制好坏的因素很多，而保护气氛的种类、流量和压力等......
单晶硅是最重要的半导体材料，伴随着集成电路产业的进步，对单晶硅的品质提出了更高的要求。直拉法是制备电子级单晶硅的主要方法，在直......
随着电子工业的蓬勃发展和社会信息化的不断深入,微电子技术在人类生产生活的方方面面发挥着越来越重要的作用。硅单晶是电子器件......
介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一......
由于直拉单晶硅的氧含量和均匀性对硅基器件的性能有很大的影响,单晶硅的生长也难以控制,通过研究我们可以,以氧杂质的基本机理分......
万向硅峰电子股份有限公司创建于1968年,拥有一支具有近四十年从事半导体生产历史的高素质管理队伍和高技术员工队伍.目前公司总资......
【摘 要】目前所应用于各类半导体光电器件和高效太阳能电池的直拉硅单晶多为及晶向，但是特殊晶向的硅单晶可制备出光电转换效率更......
作为集成电路(ICs)的基础材料,直拉硅(CZ-Si)单晶的机械强度不仅是硅片加工和ICs制造过程中工艺参数设定的重要考虑因素,而且在很......
大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素。研究了两种不同内涂......
直拉法易于制备大直径单晶，但在其拉制过程中，晶体生长系统中的熔体会产生自然对流、毛细对流以及强迫对流。在上述三种熔体对流的相......
本文双ＣＺ硅单晶中氧含量的测试实验中找出了我厂４英寸电路级ＣＺ硅单晶中氧的轴向分布规律，为生产检测中按规定氧含量切割单晶提供了准确的......
通过调研,对"十五"期间中国直拉硅单晶炉用石墨材料市场进行了预测....
1997年8月30日设在北京有色金属研究总院的半导体材料国家工程研究中心,成功地拉制出我国第一根直径12英寸(300mm)等径长度400mm、......
目前所应用于各类半导体光电器件和高效太阳能电池的直拉硅单晶多为<111>及<100>晶向，但是特殊晶向的<110>硅单晶可制备出光电转换......
介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发，氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一些......
通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响，并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含......
详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型......
针对直拉硅单晶固液界面相变温度场的非均匀性导致晶体直径不均匀问题,提出一种基于偏微分方程(PDE)模型的温度场最优控制策略.考......
万向硅峰电子股份有限公司创建于1968年，拥有一支具有近四十年从事半导体生产历史的高素质管理队伍和高技术员工队伍。目前公司总资......
空洞型（Void）原生缺陷在大直径直硅单晶中的重要性日渐突出，本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时，详细综述了这类缺陷的控......
本文研究了快速热处理工艺（RTP）在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区（Dz）的影响。研究表明：在模拟的CMOS热处理工艺......
硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化......
通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理，研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况．研究证实：高温快......
利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场.研究发现在导流系统中引入导流......
Further development of the photovoltaic industry is restricted by the productivity of mono-crystalline silicon technolog......
直拉硅单晶中掺入等价元素锗可以有效地抑制氧施主，提高硅片机械强度，改善氧沉淀的状况，研究了锗的最低有效浓度并探讨了其机理。......
用Secco腐蚀液对直径150mmp型(100)直拉硅单晶片进行择优腐蚀后，得到了流动图形缺陷(FPDs)，并通过原子力显微镜(AFM)对其微观结构进......
硅单晶作为半导体行业的重要原材料,信息化的快速发展对其品质提出更高的要求。在直拉法制备晶体过程中,相变温度场是单晶生长的驱......
集成电路(IC)、数字模拟系统电路、太阳能光伏产业的迅速崛起为硅单晶带来了更高品质、更大尺寸的高要求。在现实生产过程当中,制......
硅单晶的机械性能是包括集成电路在内的器件的制造和封装的限制因素。同时,硅单晶的机械性能还在无位错单晶生长、外延沉积以及硅......
本文对含氮ＣＺ硅单晶中的氧施主进行了探讨，测试样品是６５０℃下处理的含氮ＣＺ硅单晶在７００℃的温度下继续热处理。通过变温霍尔测试发现，材料中除了......
