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本文设计了一种适用于GPS(1.575GHz)和DSRC(5.8GHz)工作的双频圆极化微带天线.采用不同大小的切角方形贴片天线的堆叠实现双频圆极......
基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的三维集成电路技术,为三维处理器创造了条件.三维处理器的die与die上下直接堆叠,用于die间......
本文报道了一种用于堆叠结构有机电致发光器件的新的电荷生成层:LiF/Al/V2O5,采用这种电荷生成层的堆叠器件的两个发光单元互相独......
提出了一种碳纤维管周期性堆叠结构,探索并采用经济可行、高效稳定的制备工艺流程,对该工艺制备出的试件进行准静态压缩试验和冲击......
随着互联网迅速发展,大量的自由文本在网络上不断积累,问答系统成为了自然语言处理领域中的一个非常重要的研究方向。问答系统能够......
功率放大器一般位于射频发射机的最后一级,直接与天线相连。载波信号传送到功率放大器的输入端,功率放大器将其放大,然后传输给天......
作为一种重要的分光器件,光学衍射光栅在绝大多数光学系统中扮演着至关重要的角色,其衍射效率和色散能力对光学系统所能达到的性能......
闪存是当前非挥发性半导体存储器市场上的主流存储器件。随着flash进入20纳米工艺节点，基于传统浮栅结构的flash技术正面临严重的技......
闪速存储器(Flash Memory)是目前占据统治地位的非易失性半导体存储器(NVSM)。它具有低功耗,小体积,高密度,可重复擦写等优异的特......
衍射光学与微纳电子学科的结合使衍射光学器件的理论研究方法越来越完善,加工制造技术不断改进使衍射器件的应用领域不断拓展。今......
2004年,石墨烯成功的在实验室条件下被制备出来,从此打开了一个全新领域的大门。近年来,石墨烯平面结的输运性质引起了人们研究的......
本文介绍了一种基于0．18μmCMOS工艺的012GHz宽带射频功率放大器（PA）。该PA采用了双级、晶体管堆叠放大器结构结合电阻匹配和负反馈技......
功函数是设计金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的重要指标之一。对于MOSFETs,要求n型和p型器件栅极材料的功函数分别对齐于......
在45nm甚至更小的工艺节点下,传统的SiO2栅氧化层介质厚度已减薄至原子尺度范围,电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄漏电流急剧增......
超材料因其独特的性质可以作为选择圆偏振光的器件,即圆偏振器。随着偏振分辨成像系统的重要性日益增强,圆偏振器已被用于增强对比......
基于0．18μm射频锗硅工艺，提出了一种可广泛应用于无线通信系统的低插入损耗和高线性度的射频开关电路。该电路利用特殊的深N阱工艺......
