三维集成电路相关论文
电感是集成电路当中应用最为广泛的无源器件之一,硅通孔（Through-Silicon Via,TSV）技术作为三维集成电路（Three-Dimensional Interagt......
随着电子工业的指数级发展,集成电路正快速向小型化和高密度集成的方向发展,在芯片的功能和性能得到提升的同时,需要更加快速且密......
采用硅直通孔（Through-Silicon Via,TSV）实现堆叠形式的三维集成电路,被学术界和工业界认为是可能引发半导体技术发展方式变革的技术......
三维集成采用硅直通孔（Through-Silicon Via,TSV）实现堆叠式互连,满足高速低功耗的需求,成为延伸摩尔定律的突破性技术。然而,利用TS......
随着半导体工艺尺寸的不断缩小,传统的集成电路互连线方式带来的延迟、能耗等问题逐渐成为制约半导体技术进一步发展的瓶颈。为解......
三维集成电路作为“超摩尔”技术领域战略研究课题之一,在近10至20年内的发展极为迅速。硅通孔作为影响三维集成电路性能的关键技......
传感器技术是现代信息的关键技术和智能技术的先导,被应用到社会发展及人类生活的各个领域,如环境监测、生物医疗等。其中硅纳米线......
现如今,高速发展的电子工业对微电子技术提出了更高的要求,希望微系统的功能密度和性能不断提高。由于集成电路器件特征尺寸逼近物......
摘 要：硅通孔技术（TSV）是一种实现三维集成电路的方法。为了加快三维集成电路的制造测试速度，必须对TSV结构精确建模。该文提出了一种......
随着集成电路制造技术的发展，集成电路的集成度变的越来越高，芯片的尺寸变的越来越小，同时使得互连线时延问题变的突出，成为限制集成电......
集成电路(Integrated circuits,ICs)已经成为各行各业实现信息化,智能化的基础,同时它也存在于我们生活的方方面面。随着科技的进......
随着工艺技术不断发展,工艺尺寸仍会继续不断缩小。在深亚微米的设计中,互连线的延迟和功耗成为设计时需要考虑的重点。三维集成电......
三维集成电路(3D IC,Three-dimensional Integrated Circuit)将多块芯片在垂直方向上堆叠起来,通过硅通孔(TSV,Through Silicon Vi......
基于硅通孔(Through-Silicone Via,TSV)的三维芯片技术是作为延续摩尔定律的重要技术之一。三维集成电路(Three dimensional integ......
半导体集成电路经过几十年的快速发展,受到元器件尺寸、芯片功能、成本效益等方面的严重制约。作为一种系统级架构的新型设计方法,......
在集成电路领域,三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuit)内部堆叠了多层晶片,并使用穿透硅通孔(Through Silicon Via......
随着超大规模集成电路技术的发展,芯片集成度和规模急剧增加。集成电路按比例缩小的发展已逼近极限,最有可能解决降低互连延迟、提......
随着半导体技术的不断发展,互连和功耗问题制约了芯片尺寸的缩小。基于TSV的三维集成电路结构可以提供高密度的连接和高速率的传输......
随着集成电路产业的快速发展,通过硅直通孔(Through Silicon Via,TSV)实现的三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuits......
硅通孔(TSV)在制造过程中容易产生各类故障缺陷,导致3D芯片合格率降低.为了解决这一问题,提出一种新的对角线六边形冗余结构,对均......
当前微电子器件和系统正朝着小型化、低功耗、多功能的方向发展,晶体管的特征尺寸不断缩小并逼近物理极限,互连引起的时延和功耗不......
三维集成电路(Three Dimensional Integrated Circuit,3D IC)实现了多个器件层的垂直堆叠,且器件层间通过硅通孔(Through Silicon ......
美国纳米工程研究中心（CRNE）的一个研究组与巴塞罗那大学电子工程系的研究人员共同开发出一种更便捷更便宜的晶体硅制备方法。他们的......
台积电预计明年将导入量产的3D架构多晶片技术CoWoS,目前已获得可编程逻辑器件（FPGA）大厂阿尔特拉（Altera）采用,双方将整合晶圆制造及......
由于不成熟的工艺技术和老化影响,基于硅通孔(Through Silicon Via,TSV)的三维集成电路(Three-Dimensional Integrated Circuit,3D......
随着集成电路技术的发展,以TSV技术为主要基础的三维集成电路的体积不断减小,对检测与诊断带来一定难度。从三维集成电路的概念和......
聚焦芯片功耗密度、水平互连焦耳热和垂直互连焦耳热三种温升因素,构造二维和三维集成电路的热阻分析模型,基于2003年国际半导体技......
三维集成电路（3D IC）带来了诸多的益处，譬如高带宽，低功耗，外形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而，硅通孔的制造......
为了实现对于系统级封装互连中电磁波分布的快速建模及简单高效的计算,从其分布特点出发,确定了基于时域有限差分法的仿真算法,由......
基于有限元理论,对三维集成电路（3D-IC）进行了建模和仿真,研究了不同模型的热分布和计算复杂度。通过Gmsh软件创建3D-IC模型并生成网......
传统的基于TSV的三维集成电路时钟树综合流程主要包括抽象拓扑树生成、层嵌入、布线和缓冲器插入．现有的三维时钟抽象拓扑树生成算......
随着集成电路复杂度的提高以及半导体制造工艺水平的不断发展,硅通孔（Through Silicon Via）TSV技术成为三维集成电路的一种主流互连......
针对三维集成电路设计流程中存在的布局规划问题．提出了协同考虑热影响和布局利用率的布局规划算法设计方案，并利用多次模拟退火过程......
针对三维集成电路顺序堆叠测试成本高的问题,提出了一种用于绑定中测试成本降低的堆叠顺序优化方案.建立了新的测试成本模型,综合......
提出一种基于DeBruijn图的新型三维片上网络架构方式，利用DeBruijn图直径短、路由简单及容错等特性，实现三维片上网络水平面网络和虚......
针对三维集成电路芯片间时钟同步电路的要求,设计一种用于全数字延时锁定环的改进型逐次逼近寄存器,以消除由于硅通孔延时波动引起......
针对三维集成电路(3D IC)热效应问题,提供了三维集成电路热模型的稳态解析解和瞬态解析解,这些解适用于N层(N≥2)模型;热源可以非......
通过在三维集成电路中使用TSV阵列,分析TSV阵列对于提高可靠性的同时给时序和布局布线等带来的负面影响.基于TSV阵列,完成三维集成......
为了抑制TSV阵列中的串扰，本文建立TSV阵列的RC模型，通过在TSV阵列中使用一对差分TSV，分析差分TSV对于串扰的抑制效果，通过评估阵列中......
利用COMSOL软件建立了三维集成电路散热模型并进行仿真。仿真结果显示,在元胞块之间插入TSV网络可以有效将三维集成电路温度控制在......
针对三维集成电路中的关键技术硅通孔的电特性,使用传输线理论提取了其单位长度RLGC参数。将硅通孔等效为传输线,利用HFSS仿真结果......
过硅通孔技术，提供了高密度、低延时和低功耗的垂直互连，芯片在三维方向堆叠的密度大、互连线短，从而使三维堆叠芯片成为可能。文章介......
目前传统的可重构阵列容错方法一般需要控制器来完成重构控制，容错重构控制算法复杂，资源利用率不高，因此提出一种面向三维结构的可重......
