生长工艺相关论文
以锆钛酸铅陶瓷为代表的铅基压电材料具有优异的压电性能,被广泛应用于工业、生活的各个领域。但是,其所包含的铅具有毒性,危害到......
采用助溶剂法以TSSG技术生长近化学计量比SIn:Fe:LiNbO晶体.测试S In:Fe:LiNbO晶体的晶格常数,SIn:Fe:LiNbO晶体的晶格常数既小于L......
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ......
半绝缘砷化镓单晶材料具有半绝缘、迁移率高、工作温度高等突出的优点,用它研制和生产出的器件和电路工作频率高、噪声低、功耗低,......
本文介绍一个测量两结叠层电池中的子电池（顶电池，底电池）的I-V 特性的新方法。这个测量方法是由美国Toledo大学物理系的Dr. Xunming ......
本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.......
硅酸镥(LSO)晶体,属于单斜晶系,空间群结构为C2/c.本文作者利用提拉法成功地生长出了φ40mm×30mm的LSO:Ce晶体,对生长工艺中的一......
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,......
采用环形锥状电子東区熔加“堆积”的定向凝固技术制取了尺寸达30～35x200mm的高纯铌单晶。研究了原料品位及工艺参数对单品质量的影......
一、前言钼作为战略金属的重要性是尽人皆知的。为了研究它的脆断机理,探讨其事故性断裂现象的物理根据,也为了在更广阔的领域扩......
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条......
采用MgO单晶与NdBa2Cu3O7-δ(Nd123)粉体的2-2复合体籽晶可以充分利用MgO与NdBCO籽晶的优势,对SmBCO晶体的生长起到了很好的诱导作......
本文中，发现在Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层上非故意掺杂的ＩｎｙＧａ＿(１－ｙ)Ａｓ／（Ａｌ）ＧａＡｓ超晶格样品中存在着两个互相反向的自建电场区，一个位于样品表面，另一个位于Ｉｎ＿ｘＧａ＿(１－ｘ)Ａｓ缓冲层和超晶格......
用ＭＢＥ和原位离子束光刻技术制备的２ＤＥＧ基区热电子晶体管据《ＩＥＥＥＥ．Ｄ．》４２卷第６期报道，Ｓ．Ｇ．Ｉｎｇｒａｍ等以ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系统材料，将原位聚焦离子束（ＦＩＢ）隔离技术与ＭＢＥ再生长工艺相结合，克服了......
本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的......
本文报道了生长优质细颗粒金刚石单晶（１７０～４００目）的工艺条件。采用粉末触媒和石墨合成细颗粒单晶，比用片状触媒、石墨压缩性大，电阻变化大。因......
对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分......
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．
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用最新发表的ＨｇＣｄＴｅ材料的光学常数对ＭＢＥ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透射光谱进行了理论计算．对受生长工艺破坏的衬底背面再次进行抛光处理，消除因表面不......
分子束外延(ＭＢＥ)用于制作量子阱激光器和其它ⅢⅤ族半导体器件。与通常用于硅基器件制作的离子植入法不同,分子束外延给薄膜生长提供......
金属有机化合物汽相沉积 (MOCVD)技术是制备用于红外焦平面阵列 (IRFPA)的高质量碲镉汞 (HgCdTe)薄膜材料的重要手段。文中讨论了......
采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材......
本文在 BicaVIG 单晶组成的基础上,用离子代换法,设计了 BiCaInVIG 单晶的组成:{Bi_(3-2X)Ca_(2X)}[Fe_(2-y)In_y](Fe_(3-X)V_X)O_......
为了交流近年来我国宝石矿物学研究、生产和加工工艺方面取得的成果,促进我国天然宝石矿物的开发利用及人造宝石工业的发展,中国......
Vecco Instruments公司与Soitec集团的Picogiga International公司开始了一项正在形成市场的Si上GaN技术的联合开发计划。该项联合......
一种检测GaN基材料局域光学厚度均匀性的方法由中科院上海技术物理研究所上海蓝宝光电材料有限公司发明并获专利。该专利采用显微......
据《科学时报》2005年6月9日报道。中科院半导体所的科技人员重点研究和解决了大直径半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶从研究到生产的重......
被美国导弹防御暑SBIR/STTR计划挑选研制天然GaN材料和器件的KymaTechnologies公司对其半绝缘GaN衬底进行了改进,并新添了一种非极......
利用热生长工艺和热蒸发方法分别获得CuPc和Si O2薄膜层,通过原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面界面电子状态进行了研究,并采......
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺......
SiC业界又多了一家参与者。这家名为“SiC体系”(SiC Systems)的美国公司表示,今年晚些时候其6英寸3C-SiC晶片将进入衬底市场。这......
实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成......
PCrNiMoQ钢制人工水晶生长用高压釜φ250—2~#在运行38个周期、累计1952个工作日后爆炸。断口裂纹源区微观分析表明,釜体失效主要......
用PECVD技术制备了不同掺磷比的非晶硅薄膜,然后退火改性.红外透射光谱揭示了薄膜内部的键合模式随生长工艺条件变化的规律;测量和......
日本住友金属工业公司(Sumitomo Metal Industries)披露了其生长体SiC的一种新方法,生长速度是常规升华方法的两倍,且缺陷更少。这......
研究单位:北京邮电大学光通信与光电子学研究院;中国电子科技集团公司第13研究所课题负责人:任晓敏课题组成员:任晓敏黄辉黄永清王......
新加坡的研究人员制造出富In InGaN量子点纳米结构而非采用磷光粉的冷白光LED。这一转变可提高白光LED的彩色再现指数。新加坡科学......
利用导向籽晶温度梯度法（ＴＧＴ） 生长了１１０ ｍ ｍ ×８０ ｍ ｍ 的蓝宝石单晶，应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、......
美国北卡罗来纳州立大学(NCSU)的研究人员最近提出了一种新的的氮化镓生长工艺,据称和现有工艺比较,这一新工艺有望把材料的缺陷减......
光学铌酸锂 (LiNbO3 )晶体是目前应用最广泛 ,工艺较为成熟的集成光学衬底材料。利用光学LiNbO3 晶体的非线性可产生倍频、和频、......
采用提拉法生长 β′-相掺钕钼酸钆晶体。在 10 0 0℃温度下烧结 72h合成钼酸钆粉末样品。研究了生长工艺 ,拉速 0 .3～ 3mm/h ,转速......
