直流反应磁控溅射相关论文
本实验采用N+离子注入ZnO 薄膜，ZnO 薄膜用直流反应磁控溅射法制备。经快速热处理（RTP）后，通过XRD，AFM，UV-VIS-NIR 分光光度计等比较了N+......
本实验中ZnO 及ZnO/Al 薄膜用直流反应磁控溅射法制备。靶选用金属Zn 及金属合金Zn/Al 靶。经快速热退火（RTA）后，通过XRD，UV-VIS-NIR ......
采用直流反应磁控溅射(DCMS)技术在YG10X细晶硬质合金表面沉积纳米W基氮化物涂层,借助扫描电镜、X射线衍射仪、纳米压痕仪、摩擦磨......
采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅......
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,为将来应用磁控溅射方法制备TiO2染料敏化太阳电池总结数据.通过扫描电子显......
由于TiO的光催化活性好、耐光腐蚀能力强、本身稳定性高、价格相对低及对人体无毒性等优点，被公认为是最佳的光催化剂之一，在光催化......
极紫外（EUV）反射镜在使用过程中的氧化及表面碳污染沉积，严重影响了极紫外光刻（EUVL）技术的工业应用。为了延长EUV 反射镜的稳定性与使......
采用直流反应磁控溅射的方法，溅射高纯钛靶在玻璃衬底上制备了TiO2薄膜。在室温下用荧光分光光度计测量TiO2薄膜的光致发光谱。试验......
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪......
用直流反应磁控溅射法制成纳米结构的WO3薄膜气敏传感器,通过XRD,SEM和XPS对该薄膜的晶体结构和化学成分进行分析,研究了不同基片......
为了促进绿色节能环保产业的发展,开发环境友好型材料刻不容缓,其中亲水性材料在净化环境和防雾等领域有着广泛应用,越来越受到人......
利用直流反应磁控溅射技术分别在纳米晶体钛和粗晶粒钛表面沉积TiO2薄膜,系统研究了钛基材纳米化对TiO2薄膜形核、生长、晶体结构......
本文通过正交设计研究了多因素对直流反应磁控溅射ZnO:Ga薄膜光电性能的影响并且分析了不同参数的影响程度。......
用直流反应磁控溅射－多弧离子镀技术，在高速工具钢基体上沉积CN/TiN复合超硬薄膜。薄膜中存在β-CN和α-CN六角晶系硬质相氮化碳，用XR......
采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅......
采用直流反应磁控溅射方法制备了Ti/TiN多层膜。结构和硬度测试结果表明多层膜硬度依赖于薄膜的调制周期和Ti与TIi层的厚度比。当......
过渡金属钒与氧结合可以形成多种价态的氧化物，在光学和电学方面展现出独特和优异的性质，是目前国内外的研究热点。氧化钒薄膜在光电......
氧化铅是一种传统的n型氧化物半导体材料,具有很多的优点,如生长温度低,制备方法简单,耐腐蚀性强,具有很好的光电特性和气敏特性等......
ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,由于ZnO具有很高的激子束缚能（室温下为60meV）,激子增益可达到300cm-1,是一种可能......
透明导电氧化物薄膜以其接近金属的导电率、可见光范围内的高透射率、红外波段的高反射率以及其半导体特性，广泛地应用于太阳能电池......
现代通信系统和设备微型化、高频化、高性能、高可靠性的发展趋势对薄膜声表面波(SAW)器件提出了更高频、更大带宽、更高耐受功率......
本文采用Mg&Zn镶嵌靶作为溅射靶材以及直流反应磁控溅射法制备了MgxZn1-Xo薄膜和MgxZn1-Xo TFTS。主要工作内容和成果如下: (1)......
该论文研究了用直流反应磁控溅射法和溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备具有光催化特性和亲水特性的纳米TiO薄膜,并探讨了相关成膜条件、工......
AlN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。同其它半导体材料相比，AlN具有很多优良的物理与化学性质。作为直接跃迁型半导体材料的A......
氧化锌(ZnO)是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁带II-VI族半导体材料,由于其优良的特性,在太阳能电池、紫外探测器、声表面波器件......
抑制光生载流子的复合，提高TiO2的光催化效率，制备出既具有良好的亲水特性又具有高光催化活性的薄膜型复合光催化剂已成为近年来光催......
采用DC反应磁控溅射工艺在K424合金基底上制备了ZrO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的热处理,采用XRD、SEM和EDS等分析手段对薄膜的......
利用在直流反应磁控溅射(DMS)技术基础上改进的能量过滤磁控溅射(EFMS)技术制备了ITO薄膜,并将其应用于顶发射有机电致发光器件(TO......
采用直流反应磁控溅射的方法,溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜。用XRD、Raman光谱、AFM和紫外-可见光分光光度计分别测......
以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄......
用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜,进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析,研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响.实验证......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用直流反应磁控溅射系统,选择独立Ti靶在3003AlMn合金表面在不同氮流量下制备(Ti,Al)N薄膜,采用扫描电镜、能谱分析、X射线衍射......
期刊
采用常温下靶面进气的直流反应磁控溅射方法在柔性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上制备氧化钛薄膜，通过正交试验设计沉积工艺条件......
采用直流反应磁控溅射的方法,在石英衬底上制备Cu2O纳米薄膜,研究了工艺因素中的溅射气压、氧分压、气体流量、溅射功率对薄膜结构......
以纯铝为靶材，在不同氩氧比例下，采用直流反应磁控溅射方法制备Al2O3薄膜。利用X射线衍射（XRD）、能谱（EDS）、扫描电镜（SEM）和精密阻抗分析......
研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,......
在工作气压为 0.80Pa的氧氩气混合气氛下,改变氧与氩的流量比 (O2/Ar:0.10, 0.20, 0.30),在预先镀 10nm左右 SiO2的普通玻璃基片上......
通过直流反应磁控溅射制备了不同Mo掺杂量的Mo-TiO2薄膜．用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）仪、X射线光电子能谱（xPs）仪、紫外．可见（UV-V......
用直流反应磁控溅射法制备了TiO2—WO3双层结构的气敏薄膜，进行了薄膜微结构和化学成分分析，研究了TiO2表面层对WO3气敏特性的影响。......
用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜，进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析，研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响。实验证......
采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.用紫外-可见光分光光度计和AFM分别表征了薄膜的透射率和表面形貌,用包络线法详......
采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜......
采用直流反应磁控溅射法在玻璃片上制备了TiN薄膜，研究不同制备工艺条件与薄膜性能之间的关系。用紫外-可见光分光光度计测试了不同......
用溅射功率为100~500 W的直流反应磁控溅射法制备出不同结构与特性的TiO2薄膜样品;采用原子力显微镜（AFM）、X线衍射仪（XRD）、傅里叶红......
用直流反应磁控溅射法在未加热的玻璃基片上制备出晶态TiOx（x〈2）薄膜,研究关键工艺因素即氧气流量对薄膜的沉积速率、表面形貌、显......
用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上,在不同氧分压条件下制备了一组TiO2低辐射薄膜样品.用原子力显微镜(AFM)观察了不同制备条件下......
采用直流反应磁控溅射的方法, 溅射高纯钛靶在ITO石英衬底上制备了TiO2薄膜.用Raman光谱、AFM和紫外-可见光分光光度计分别测试了T......
