寄生电容相关论文
FinFET因其具有良好的沟道控制效果,更低的功耗,更好的可微缩特性,已经成为了当今的主流工艺。但由于FinFET器件具有3D特性,其漏源......
本文研究了P型保护环对双向可控硅（DDSCR）静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR）和带......
功率半导体器件作为电子设备系统的核心部件,已广泛渗透到消费、医疗、工业、运输、航天等领域,在人类日常生活及经济发展中扮演着......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
为了提高中子产额, 法兰克福强中子源采用Mobley型束团压缩器来增强打靶时质子流的密度, 其入口处由射频踢波器实现微脉冲的偏转,......
在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光......
对集成化平面电感的串联电阻对电感 Q值的影响进行了计算机模拟分析 ,结果表明 ,微型电感中的串联电阻对电感 Q值的影响严重 ,在电......
在标准互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺下设计了1种单片集成金属-半导体-金属(metal-se......
针对光探测器在倒装焊过程中频响性能恶化的问题,建立等效电路模型分析出其原因,并通过优化倒装焊工艺条件予以有效解决。该电路模......
针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了......
半导体工艺水平的飞速发展使当今的集成电路进入了超深亚微米(VDSM)阶段。集成电路特征尺寸从um级到nm级的急剧缩小、工作频率从MH......
为了有效地解决地铁车辆牵引电机轴承电蚀问题,文章从地铁车辆轴电压产生的根源出发,研究了共模电压产生的原因,分析了电机的寄生......
射频LDMOS器件作为功率集成电路中的核心器件,已经成为国内外器件研究热点。目前主要的技术困难在于同时兼顾集成度高、功耗小以及......
随着能源危机和环境问题的加剧,基于分布式电源和储能系统的直流微网以其优越的性能受到广泛的关注。由于负载不断波动,需要一种高......
学位
一、前言用交流电桥测量挣态电容以及最近用 LCR表测量电容都是基于同步检测技术。但是,目前在电容传感器的应用中非常需要更简单......
本文利用数值法计算了带有环向波度和径向锥度端面机械密封的流体膜压力分布和膜压系数,结果表明:环向波度的影响大于径向锥度。分......
柔性直流输电工程已迈入特高压时代,现有柔性直流换流阀(VSC阀)的均压屏蔽设计已无法满足特高压应用场合.为解决±800 kV VSC阀塔......
期刊
通过对高频绝缘心变压器进行磁路特征分析,基于电磁对偶原理和端口网络理论,提出了一种适用于绝缘心变压器的宽频等效电路模型.该......
设计了一种基于电容反馈跨阻放大器(CTIA)的长线列CMOS图像传感器.为减小器件功耗和面积,采用基于单端四管共源共栅运算放大器.为......
模块化多电平柔性直流换流阀的寄生电容是构成换流阀宽频等效电路模型的重要参数,影响换流阀内部瞬态电压分布是否均匀.为此,需要......
本文对平面变压器的各种寄生参数进行了全面分析。首先在PCB平面变压器结构基础上，提出了等效电路模型。针对该电路模型，分别分析了......
本论文针对实验室目前自主研究的硅微机械陀螺做出研究,设计了低噪声抗干扰的接口电路以及数字化测控电路,主要工作如下:首先介绍......
近年来,随着真空断路器的普及应用,投切10k V并联电容器补偿装置时的操作事故频繁发生。随着电网结构和负荷变化的日益复杂,真空断......
微机械陀螺是一种测量角速度的惯性传感器,是MEMS技术应用的一个重要方面,在国防、军事以及民用方面都得到了广泛的应用。由于微机......
寄生元件危害最大的情况rn印刷电路板布线产生的主要寄生元件包括:寄生电阻、寄生电容和寄生电感.例如:PCB的寄生电阻由元件之间的......
阐述了漏磁变压器的工作原理,针对超细管径荧光灯电子镇流器的性能要求,建立了基于漏磁变压器的谐振电路等效模型,探讨了灯管和变......
以往,关于数字模拟电路混合结构的设计会在模拟电路以及数字电路之间进行光耦隔离,并且在光耦隔离两侧分别使用独立电源.这种方案......
本文提出了一种64×4扫描型红外焦平面读出电路.电路采用0.5 μm标准CMOS工艺.工作电压为5V.本设计在列读出级采用了降低寄生电容......
用数值计算方法详细模拟了室温及低温(77K)下VLSI电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟,得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的......
提出了一种基于保角映射方法的14nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
二极管电平转换电路广泛应用于高电压转低电压的场合,本文分析了二极管寄生电容和高温漏电流对二极管电平转换电路的影响和解决方......
运算放大器、比较器、基准、滤波器和振荡器等模拟器件都是电子工程师进行系统设计必需的工具.随着许多系统中的数字部分不断增加,......
Miles研究小组受Ormia ochrace寄生蝇声定位机理的启发,通过集成信号的衍射光栅读取技术,从原理上、方法上对现有硅微传声器进行了......
研究了微加速度计的电容变化率为10-7～10-8时的微弱输出信号的检测技术,这是微机械器件研制中具有普遍性的技术难点.在研究检测微小......
在VLSI三维多介质互连寄生电容的边界元法计算中,利用互连结构特点,本文提出一种半解析积分方法,它应用原函数方法将二维面积分转......
文中将 Appel处理多体问题的层次式算法思想实现于直接边界元法 ,用以计算 VL SI三维互连寄生电容 .直接边界积分方程同时含有边界......
应用层次式 Z缓冲区可视性算法的思想 ,实现了一种互连寄生电容器中屏蔽导体的快速判断算法 ,能准确地确定对电容值影响较小的导体......
为减小功率放大器的尺寸和提高放大器的效率,可以利用晶体管的漏端寄生结电容作为E类射频功率放大器的分流电容。文章提出根据晶体......
目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一,是建立换流系统的宽频等效电路模型,分析阀塔过电压瞬态过程,而屏蔽罩寄生电容......
为了提高中子产额,法兰克福强中子源采用Mobley型束团压缩器来增强打靶时质子流的密度,其入口处由射频踢波器实现微脉冲的偏转,踢......
随着 VL SI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,快速准确地计算三维互连寄生电容已成为集成电路辅助设计中一个研究热点。提......
在基于直接边界元素法的层次式 h-自适应计算中 ,改进了层次式边界元的自动加密方法 ,提高了计算可靠性 .同时 ,将基于超收敛恢复......
针对芯片制造和应用环境引入的大寄生电容严重降低飞法级电容传感器读出电路输出动态范围的问题,提出了一种带有自动增益控制的电......
