肖特基势垒高度相关论文
Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的......
用射频磁控溅射在单晶硅上沉积Si1-x Gex薄膜。溅射的SiGe薄膜样品,用俄歇电子谱(AES)测定其Ge含量,约为17%,即Si0.83Ge0.17。样品......
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验......
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品......
通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用......
设计并制备了基于石墨烯/n型硅肖特基结的光电探测器,并从能带角度研究和分析了其I-V及C-V特性.结果表明,石墨烯/氮化硅/硅(金属-......
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验......
从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的......
用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理（RTA）,......
为降低金属或金属硅化物源漏与沟道的肖特基势垒高度以改善肖特基势垒源漏场效应晶体管(SBSD-MOSFET)的开关电流比(Ion/Ioff),采用......
目前,超大规模集成电路（VLSI）已发展到每单片上制造100,000个以上元件的集成度,对这种电路除了要求新的电路设计、新的器件结构与工......
以SiC和ZnO等为代表的第三代宽禁带半导体材料由于具有禁带宽度大、化学稳定性好、导热性能强等优点,在下一代高温、高频、大功率......
本文从金属与半导体接触势垒的角度出发，以聚乙烯亚胺（PEI）作为界面修饰层对基体材料TiO2和Zr0.2Ti0.8O2薄膜进行表面修饰，详细研究了......
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基......
本文研究了氧化物压敏陶瓷晶界特性与宏观电性能的关系，取得了如下成果：1、测试分析了电负荷历史对氧化锌压敏陶瓷样品的端电容量的......
金属一半导体接触(欧姆接触和肖特基接触)是所有半导体电子器件和光电子器件的核心结构之一。随着半导体器件的尺寸越来越小,尤其......
GaN半导体材料的禁带宽度为3.45eV,属于宽禁带半导体材料,另外GaN的电子饱和速度很高,同时其导热性能良好,这使得GaN材料在微波大......
作为第三代半导体材料,SiC具有宽禁带、高临界击穿场强、高热导率等优异的物理性质,在高温、大功率、高频电子器件中得到广泛关注......
锗(Ge)材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金......
当集成电路工艺特征尺寸到达45nm节点及以下时,铜互连工艺中的RC延迟因受尺寸缩小规则影响而迅速增大,并由此对半导体器件的速度及......
为了利用热电流准确得到异质结的本征肖特基势垒高度,从能量等价吸收(转换)角度出发,将Fowler给出的描述金属光电流产额与入射光频......
