实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一......

本次工作使用MEDICI二维器件模拟软件,建立新型的BUSFET带体接触的SOINMOSFET器件模型,对不同偏置状态下掩埋氧化层中电场强度进行......

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一......

通过实验研究了部分耗尽SOIN MOSFET总剂量辐射效应-9辐射时的偏置状态的关系，实验结果表明TG（Transition Gate）是最恶劣的偏置状态。......