总剂量辐射相关论文
基于0.6μm高低压兼容CMOS工艺，设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器（DAC）。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的......
分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路.重点介绍了......
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同......
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素.A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设......
对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究.对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无......
对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗......
主要介绍了长线在线测试系统在60 Co源辐射场中的应用。实验中 ,解决了辐射场低能散射对小电流测量带来的影响问题。在线测量减少......
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模......
对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究......
通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照......
辐射偏置条件是影响MOSFET（Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor）总剂量辐射效应的主要因素之一，因为辐射时栅氧化层中电荷......
对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了......
介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计，内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模......
针对Xenics公司的一款In Ga As探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2krad（Si）,技术指标要求探测......
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件......
通过实验研究了部分耗尽SOIN MOSFET总剂量辐射效应-9辐射时的偏置状态的关系，实验结果表明TG（Transition Gate）是最恶劣的偏置状态。......
采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力，通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs......
针对Kodak公司的商用CCD探测器KLI-2113进行了总剂量为30 krad（Si）的60Co-γ辐射试验。对比辐射前后CCD的主要参数变化,分析了总剂量......
对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测......
在超高总剂量辐射下，界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著，甚至会引起NMOS的阈值电压增加，即所谓的“反弹”现象。文......
对自主研发的40nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40nm工艺未做加固的FPGA电路抗......
研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压......
根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术。针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施。流片......
研究了闪存电路系统中高压电路的总剂量辐射效应（TID）。通过对内部高压电荷泵电路和高压负载电路的TID辐射效应测试研究,表明辐照后......
基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一......
针对标准纳米CMOS工艺下实现的带隙基准电路抗辐射加固性能不高的问题,分析了带隙基准电路中采用的纵向衬底PNP三极管器件由于总剂......
超结MOSFET具有VDMOS的输入阻抗高、驱动电流低、开关速度快、热稳定性好、安全工作区宽等优点,同时缓解了击穿电压与导通电阻的矛......
针对应变Si NMOS器件总剂量辐射对单粒子效应的影响机制,采用计算机TCAD仿真进行研究。通过对比实验结果,构建50 nm应变Si NMOS器......
研究了外加电场对MOS器件电离辐射效应的影响。采用10 keV X射线对MOS器件在正/反电场偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOS器件辐......
对比研究了总剂量辐射对硅微波功率双极器件、LDMOS器件、VDMOS器件以及常规功率VDMOS和抗辐射加固功率VDMOS器件电性能的影响,并......
高性能的微弱信号读出电路因红外焦平面阵列的广泛应用愈凸显出其重要性，其由于常常工作于总剂量辐射环境下受到总剂量辐射的影响而......
研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性。仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation......
采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的......
通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真。使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂......
利用^60Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量辐照实验，并从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度，对比......
期刊
不同种类光电耦合器件(光耦)结构工艺对空间总剂量辐射的敏感性存在较大差异,故对其在航天器的使用应区别对待。文章分别对组成常......
功率管在空间辐射环境下会发生沟道边缘漏电,导致功率集成电路性能退化。介绍了一种0.35μm单片集成(BCD)工艺下基于华夫饼结构的......
