非晶态半导体相关论文
半导体科学技术是２０世纪中最伟大和最重要的科技成就之一。在高新技术迅速发展的今天，重温其发展历程，总结其发展规律和认识其发展特点......
<正> 第七届全国半导体物理会议于1989年10月31日至11月3日在上海举行。本次会议共征集了252篇论文,包含了半导体物理的各个领域:......
该论文采用二次电解的方法制备了多孔氧化铝厚膜,利用X射线衍射（XRD）分析了氧化铝膜的无定形结构,在原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微......
非晶态半导体是凝聚态物理学中最为活跃的领域之一。非晶态半导体化合物PbS材料，被发现在红外探测，特别是在高度集成的红外探测器上......
利用射频溅射方法制备了非晶态Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜(x=0,0.22,0.50,0.66,1),在80 K~300 K温度范围内,研究了Cd组分x对暗电导的影响......
对非晶态半导体的禁带中缺陷定域态，导带(或价带)扩展态，导带(或价带)带尾部定域态中的载流子导电的规律性进行了定性和定量的分析，给......
用电导率电池测量了钠铁磷熔体的电阻率,并分析了相应玻璃的穆斯堡尔谱,计算了铁离子的价态和氧化还原比,分析了温度、时间和氧化......
采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参......
Ⅲ-Ⅴ族晶体半导体材料由于其稳定性好,高吸收系数、高迁移率,可望在室温工作等特点已引起人们广泛注意。与晶体Ⅲ-Ⅴ族半导体相比......
