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提出了一种分析和了解微波功率GaAsMESFET非线性效应的方法,主要是采用解析优化方法,提取MESFET器件在不同偏置点下的本征元件,并结合......
介绍了一种晶片条件下FET器件(包括MOSFET,GaAsMESFET和HEMT)寄生元件的剥离技术,并利用此技术获取了器件的本征[Y]参数。......